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本技术属于半导体处理设备技术领域，公开了衬底加热装置及外延设备，衬底加热装置包括第一加热体与第二加热体、电极柱和连接件，第二加热体周向环绕设置于第一加热体外侧，第一加热体与第二加热体之间具有间隙，第一加热体与第二加热体均设置有至少两个挂耳，...
该专利属于拉普拉斯（广州）半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过拉普拉斯（广州）半导体科技有限公司授权不得商用。

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