【技术实现步骤摘要】
本技术涉及碳化硅晶体生长,特别涉及一种载台升降装置及应用其的长晶炉。
技术介绍
1、碳化硅作为重要的第三代半导体材料,拥有禁带宽度、击穿强度大,饱和电子迁移率、热导率高等优势,已被广泛应用于电力电子、射频及光电子器件等领域。目前,碳化硅晶体的生长一般采用物理气相传输法(physical vapor transport,pvt)。pvt法常采用中频感应线圈作为碳化硅长晶炉的加热电源,在线圈的涡流作用下高密度石墨坩埚被加热,使置于石墨坩埚底部的碳化硅粉体分解升华成sic、sic2、si2c等气相物质。这类气相物质在炉膛内温度梯度分布形成的压力梯度的驱动下,向炉膛低温区的晶体生长腔输送,在碳化硅籽晶上结晶,进而生长为碳化硅晶体。
2、现有的碳化硅长晶炉,其炉体下端通常设置开口,并在开口处设置可升降的盖体以启闭开口,从而通过盖体上升敞开来开口,方便执行对炉膛装料、取料、清理等作业。然而,现有的碳化硅长晶炉,由于其内部安装空间有限,因此其传动装置通常采用电机(例如伺服电机、步进电机等)经减速机驱动单个皮带轮或丝杠螺母机构,配合单个滑块
...【技术保护点】
1.一种载台升降装置,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的载台升降装置,其特征在于,还包括:
3.如权利要求2所述的载台升降装置,其特征在于,还包括:
4.如权利要求3所述的载台升降装置,其特征在于,所述第一丝杠模组(1)和所述第二丝杠模组(3)的两端分别可转动地安装于安装竖板(9)同一面设置的对应轴承座(91)上,所述导向支撑结构(10)设于安装竖板(9)上并位于第一丝杠模组(1)和第二丝杠模组(3)之间。
5.如权利要求4所述的载台升降装置,其特征在于,所述驱动单元(8)安装于所述安装竖板(9)背向所述第一丝杠
...【技术特征摘要】
1.一种载台升降装置,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的载台升降装置,其特征在于,还包括:
3.如权利要求2所述的载台升降装置,其特征在于,还包括:
4.如权利要求3所述的载台升降装置,其特征在于,所述第一丝杠模组(1)和所述第二丝杠模组(3)的两端分别可转动地安装于安装竖板(9)同一面设置的对应轴承座(91)上,所述导向支撑结构(10)设于安装竖板(9)上并位于第一丝杠模组(1)和第二丝杠模组(3)之间。
5.如权利要求4所述的载台升降装置,其特征在于,所述驱动单元(8)安装于所述安装竖板(9)背向所述第一丝杠模组(1)和所述第二丝杠模组(3)的相对另一面,一对所述张紧轮(71)间隔安装于所述安装竖板(9)设置第一丝杠模组(1)和第二丝杠模组(3)的同一面,所述安装竖板(9)设有供所述同步带(7)穿过的让位结构。
6.如权利要求2所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:邓斌,王学仕,王宝财,
申请(专利权)人:深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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