【技术实现步骤摘要】
本技术属于区熔晶体生长设备，尤其是涉及一种区熔用保温筒及设有该保温筒的区熔炉。
技术介绍
1、在区熔硅单晶的生产过程中，为了维持均匀的温度梯度，促进单晶高质量生长，在区熔炉内设置保温筒，维持熔融区的温度。在现有技术中，保温筒通常为单层的筒体结构，由铜制成。生产大直径单晶时，采用现有的保温筒，保温效果较差，散热较快，易造成热量损失，由于单晶直径较大，使得单晶中心和外围之间产生较大的温度梯度，造成单晶热应力分布不均匀，易导致单晶发生位错或者断棱。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本技术提供一种区熔用保温筒及设有该保温筒的区熔炉，有效的解决了保温筒保温效果较差、易造成热量损失的问题，克服了现有技术的不足。
2、本技术采用的技术方案是：一种区熔用保温筒，包括筒状本体，所述筒状本体的外侧设有支撑层，所述筒状本体的内侧设有隔离层，所述支撑层和隔离层之间设有保温层。
3、进一步，所述保温层设置为单层结构。
4、进一步，所述保温层设置为多层结构。
5、...
【技术保护点】
1.一种区熔用保温筒，包括筒状本体，其特征在于：所述筒状本体的外侧设有支撑层，所述筒状本体的内侧设有隔离层，所述支撑层和隔离层之间设有保温层，所述支撑层外部设有冷却水路。
2.根据权利要求1所述的一种区熔用保温筒，其特征在于：所述保温层设置为单层结构。
3.根据权利要求1所述的一种区熔用保温筒，其特征在于：所述保温层设置为多层结构。
4.根据权利要求3所述的一种区熔用保温筒，其特征在于：所述保温层设置为双层结构，包括第一保温层和第二保温层，所述第一保温层靠近所述隔离层设置，所述第二保温层靠近所述支撑层设置。
5.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种区熔用保温筒，包括筒状本体，其特征在于：所述筒状本体的外侧设有支撑层，所述筒状本体的内侧设有隔离层，所述支撑层和隔离层之间设有保温层，所述支撑层外部设有冷却水路。
2.根据权利要求1所述的一种区熔用保温筒，其特征在于：所述保温层设置为单层结构。
3.根据权利要求1所述的一种区熔用保温筒，其特征在于：所述保温层设置为多层结构。
4.根据权利要求3所述的一种区熔用保温筒，其特征在于：所述保温层设置为双层结构，包括第一保温层和第二保温层，所述第一保温层靠近所述隔离层设置，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：王晓，李小龙，王遵义，刘坤，布帅波，叶舒剑，
申请(专利权)人：天津中环领先材料技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。