晶片托环、晶片承载装置及MOCVD外延设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种晶片托环、晶片承载装置、MOCVD外延设备，所述晶片托环包括周缘、延伸部、环状的连接部，所述周缘沿着所述连接部的径向外端向上延伸，所述延伸部沿着所述连接部的径向内端向下延伸，所述延伸部径向外侧与所述连接部底部形成安装槽，所述周缘向连接部的径向外侧弯折，在所述周缘背面的弯折处形成夹持槽，其中夹持槽的顶部所在平面的高度高于安装槽的顶部所在平面的高度。通过夹持槽以及安装槽的结构设计，提高了晶片托环的精度与可靠性，并避免了机械手取放时触碰晶片承载盘边缘造成损伤或位置偏移，具有显著的优点。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体制造设备，具体而言，涉及一种mocvd外延设备的晶片托环、晶片承载装置及mocvd外延设备。

技术介绍

1、mocvd设备(金属有机化学气相沉积设备，metal-organic chemical vapordeposition)是一种用于生长高质量半导体薄膜的核心工艺装备。其原理是通过高温化学反应，将金属有机源(如三甲基镓tmga、三甲基铟tmin)与氢化物(如氨气nh3、磷化氢ph3)在载气(氢气或氮气)作用下输送到反应腔内，经热分解后于衬底表面逐层沉积，形成iii-v族化合物半导体外延结构(如gan、gaas、inp)。mocvd设备包括反应腔，反应腔内通常包括基座，以及设置在基座上的承载盘和晶片托环，基座向上输出气体并吹向承载盘和晶片托环，使得承载盘和晶片托环一起悬浮并按照预定速度旋转。晶片托环(wafer carrier)是mocvd设备中承载衬底(如蓝宝石、硅片)的核心部件，在多片式mocvd设备中需要承载晶片并在气流作用下与晶片一起悬浮并旋转，其需要均匀传热，通过高导热材料(如高纯石墨、碳化硅涂层石墨)将热量均匀传递至衬底。在m本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MOCVD外延设备的晶片托环，其特征在于，所述晶片托环包括周缘、延伸部、环状的连接部，所述周缘沿着所述连接部的径向外端向上延伸，所述延伸部沿着所述连接部的径向内端向下延伸，所述延伸部径向外侧与所述连接部底部形成安装槽，所述周缘向连接部的径向外侧弯折，在所述周缘背面的弯折处形成夹持槽，其中夹持槽的顶部所在平面的高度高于安装槽的顶部所在平面的高度。

2.如权利要求1所述的MOCVD外延设备的晶片托环，其特征在于，所述周缘包括第一壁和第二壁，所述第一壁的外表面与所述第二壁的下表面相互垂直，所述第一壁与所述第二壁的过渡区域具有倒角，所述第一壁的外表面为夹持槽的侧面，所述第二壁...

【技术特征摘要】

1.一种mocvd外延设备的晶片托环，其特征在于，所述晶片托环包括周缘、延伸部、环状的连接部，所述周缘沿着所述连接部的径向外端向上延伸，所述延伸部沿着所述连接部的径向内端向下延伸，所述延伸部径向外侧与所述连接部底部形成安装槽，所述周缘向连接部的径向外侧弯折，在所述周缘背面的弯折处形成夹持槽，其中夹持槽的顶部所在平面的高度高于安装槽的顶部所在平面的高度。

2.如权利要求1所述的mocvd外延设备的晶片托环，其特征在于，所述周缘包括第一壁和第二壁，所述第一壁的外表面与所述第二壁的下表面相互垂直，所述第一壁与所述第二壁的过渡区域具有倒角，所述第一壁的外表面为夹持槽的侧面，所述第二壁的下表面为夹持槽的上端面。

3.如权利要求2所述的mocvd外延设备的晶片托环，其特征在于，所述连接部包括从所述周缘的径向内侧边界沿径向延伸至所述连接部径向内侧边缘的上支撑面，以及从所述延伸部的径向外侧边界沿径向延伸至所述连接部径向外侧边缘的下支撑面，下支撑面与延伸部的内表面的过渡区域具有倒角，延伸部的外表面为安装槽的侧面，下支撑面为安装槽的侧面的上端面。

4.如权利要求3所述的mocvd外延设备的晶片托环，其特征在于，所述第一壁的外表面与所述下支撑面相邻接，并且所述第一壁的外表面与所述下支撑面的过渡区域具有倒角。

5.如权利要求3所述的mocvd外延设备的晶片托环，其特征在于，所述第一壁的外表面的下端所在水平面...

【专利技术属性】
技术研发人员：王涛，陈军，于海峰，夏杨建，
申请(专利权)人：一塔半导体安徽有限公司，
类型：发明
国别省市：