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本发明公开一种AlN晶体的生长方法和AlN晶体，该生长方法包括：提供一坩埚组件；其中，坩埚组件包括坩埚以及设置于坩埚内的AlN原料、掩膜片、AlN籽晶和耐高温固定件，AlN原料放置于坩埚底部，掩膜片、AlN籽晶和耐高温固定件依次位于AlN原...
该专利属于江苏第三代半导体研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏第三代半导体研究院有限公司授权不得商用。

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