一种基于Cr2Ge2Te6的高灵敏光电探测器的制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种基于Cr2Ge2Te6的高灵敏光电探测器的制备方法和应用。其设计方法和步骤为：使用银辅助剥离法获取单层或少层Cr2Ge2Te6，再使用PDMS/PVA薄膜将其转移到干净的SiO2/Si衬底上。最后在Cr2Ge2Te6两端镀上钛金作为金属电极，制成的光电探测器结构为钛金电极/Cr2Ge2Te6/钛金电极。经过光电测试探针台的测试，在两端电极电压为‑1V到1V的情况下，对Cr2Ge2Te6光电探测器外加不同波长不同功率的激光，Cr2Ge2Te6光电探测器可以探测到30‑50μW/cm2光功率密度的可见光(405nm、532nm、635nm)和近红外光(808nm)，并且在微弱激光照射下光电流对比暗电流有一个数量级的提升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电探测器，更具体地，涉及一种基于cr2ge2te6的高灵敏光电探测器的制备方法和应用。

技术介绍

0、技术背景

1、由于二维材料独特的物理化学性质，其被认为是构建新一代光电器件的理想候选材料，在光电探测器、发光二极管、光调制器等领域展现出巨大的应用潜力。随着二维铁磁材料cr2ge2te6的发现，为传统二维器件提供了新的方向，二维cr2ge2te6具有0.7ev的带隙，这个带隙值使其能够吸收从可见光到近红外波长范围的光子，预示着其在宽带光电探测方面的巨大应用潜力。高质量二维材料的制备是器件研究的基石。传统的机械剥离法虽然能获得高质量样品，但产率极低且尺寸不可控。为了高效、可靠地获得大面积、高质量的单层或少层cr2ge2te6，我们采用了银辅助剥离方法。该技术利用银与cr2ge2te6层间较强的相互作用力，以及银膜本身带来的应力，能够有效克服层间范德华力，从而实现大面积、高质量少层乃至单层cr2ge2te6的剥离。相较于传统方法，银辅助剥离法在产率和样品尺寸上均有显著提升，为后续器件的批量制备和性能研究奠定了坚实的材料基础。

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【技术保护点】

1.一种具有高灵敏探测的Cr2Ge2Te6光电探测器，其主要特征在于，所述少层Cr2Ge2Te6采用银辅助剥离法剥离，Cr2Ge2Te6高灵敏光电探测器对可见光波长(405nm、532nm、635nm)和近红外波长(808nm)的高灵敏检测。

2.根据权利要求1所述的Cr2Ge2Te6的制备方法，包括以下具体步骤：

3.根据权利要求2所述的Cr2Ge2Te6的制备方法，其特征在于，步骤3中所述的蒸镀数据为恒定速率0.3，银的厚度为160nm。

4.根据权利要求2所述的Cr2Ge2Te6的制备方法，其特征在于，步骤4中所述的热释放胶加热数据为温度130℃...

【技术特征摘要】

1.一种具有高灵敏探测的cr2ge2te6光电探测器，其主要特征在于，所述少层cr2ge2te6采用银辅助剥离法剥离，cr2ge2te6高灵敏光电探测器对可见光波长(405nm、532nm、635nm)和近红外波长(808nm)的高灵敏检测。

2.根据权利要求1所述的cr2ge2te6的制备方法，包括以下具体步骤：

3.根据权利要求2所述的cr2ge2te6的制备方法，其特征在于，步骤3中所述的蒸镀数据为恒定速率0.3，银的厚度为160nm。

4.根据权利要求2所述的cr2ge2te6的制备方法，其特征在于，步骤4中所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王谦童，董华锋，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：