肖特基二极管的制作方法及肖特基二极管技术

本申请属于半导体器件技术领域，具体涉及一种肖特基二极管的制作方法及肖特基二极管，肖特基二极管的制作方法包括：在衬底上形成外延层，在外延层上层热氧化形成初始氧化层，在初始氧化层上刻蚀出金属淀积窗口，金属淀积窗口延伸至外延层，在金属淀积窗口沉积金属层，在保护气体和氧气混合形成的混合气体氛围下进行退火处理，使金属层和部分外延层反应形成势垒金属层，氧气占混合气体的体积比为8％～10％。金属材料在微氧环境下与部分外延层反应生成势垒金属层，微氧环境可诱导部分外延层材料及金属材料轻微氧化，形成致密二氧化硅及金属氧化物界面层，阻断漏电流路径，提高了肖特基二极管的抗静电能力，可满足4kV以上的静电释放能力要求。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于半导体器件，具体涉及一种肖特基二极管的制作方法及肖特基二极管。

技术介绍

1、肖特基二极管是利用金属与半导体接触形成的势垒而制成的二极管。肖特基二极管的正向压降只有pn结二极管的一半，所以功耗可以降低一半。肖特基二极管的恢复时间显著短于pn结二极管，因此其开关速度比pn结二极管要快一倍。现有的肖特基二极管对静电释放(electro-static discharge，esd)不敏感，即抗静电能力较弱，难以满足4kv以上的静电释放能力要求。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种肖特基二极管的制作方法及肖特基二极管，以提高肖特基二极管的抗静电能力。

2、为了达到上述目的，本申请提供了一种肖特基二极管的制作方法，包括：

3、在衬底上形成外延层；

4、在所述外延层上层热氧化形成初始氧化层；

5、在所述初始氧化层上刻蚀出金属淀积窗口，所述金属淀积窗口延伸至所述外延层；

6、在所述金属淀积窗口沉积金属层；

7、在保护气体和氧气混合形成的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种肖特基二极管的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述退火处理包括：

3.根据权利要求2所述的肖特基二极管的制作方法，其特征在于，至少所述第一次退火和所述第二次退火之一在所述混合气体氛围下进行。

4.根据权利要求2所述的肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述外延层包括N-掺杂的硅外延层，所述金属层包括NiPt合金，所述中间势垒层包括Ni2Pt2Si，所述势垒金属层包括NiPtSi。

5.根据权利要求4所述的肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述金属层的厚度为35±3nm。...

【技术特征摘要】

1.一种肖特基二极管的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述退火处理包括：

3.根据权利要求2所述的肖特基二极管的制作方法，其特征在于，至少所述第一次退火和所述第二次退火之一在所述混合气体氛围下进行。

4.根据权利要求2所述的肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述外延层包括n-掺杂的硅外延层，所述金属层包括nipt合金，所述中间势垒层包括ni2pt2si，所述势垒金属层包括niptsi。

5.根据权利要求4所述的肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述金属层的厚度为35±3nm。

6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：马国良，梁洪春，王可增，孙长亮，鲁艳春，
申请(专利权)人：青岛惠科微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：