【技术实现步骤摘要】
本公开属于半导体晶体管，具体涉及一种绝缘栅双极晶体管的制作方法及绝缘栅双极晶体管。
技术介绍
1、由于绝缘栅双极晶体管通常用于高压应用，若采用在半导体基底层上生长外延片的方式，则需要生长较大厚度的外延片，这导致生长困难，制作成本高。
技术实现思路
1、本公开的目的在于提供一种绝缘栅双极晶体管的制作方法及绝缘栅双极晶体管，通过使支撑扩散片中的第二类型杂质扩散至半导体基底层中，以降低半导体基底层的制备难度，并可降低半导体基底层的制备成本。
2、本公开提供了一种绝缘栅双极晶体管的制作方法，所述制作方法至少包括：
3、形成一掺杂有第一类型杂质的半导体基底层；
4、形成一掺杂有第二类型杂质的支撑扩散片，所述第二类型杂质与所述第一类型杂质中的一者为n型杂质，另一者为p型杂质，其中，所述支撑扩散片内第二类型杂质的掺杂浓度大于所述半导体基底层中第一类型杂质的掺杂浓度，且所述第二类型杂质的掺杂浓度与所述第一类型杂质的掺杂浓度之比满足目标扩散条件；
5、将所述支...
【技术保护点】
1.一种绝缘栅双极晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括：
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，将所述支撑扩散片键合在所述半导体基底层的背面，使得所述支撑扩散片中的第二类型杂质向所述半导体基底层进行扩散的步骤，包括：
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在所述半导体基底层的背面形成第二目标厚度的氧化层的步骤，包括：
4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述目标扩散条件包括：所述支撑扩散片中第二类型杂质的掺杂浓度与所述半导体基底层中第一类型杂质的掺杂浓度之比至少为10，且所述半导体基底层中第二...
【技术特征摘要】
1.一种绝缘栅双极晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括：
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，将所述支撑扩散片键合在所述半导体基底层的背面，使得所述支撑扩散片中的第二类型杂质向所述半导体基底层进行扩散的步骤，包括：
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在所述半导体基底层的背面形成第二目标厚度的氧化层的步骤，包括：
4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述目标扩散条件包括：所述支撑扩散片中第二类型杂质的掺杂浓度与所述半导体基底层中第一类型杂质的掺杂浓度之比至少为10，且所述半导体基底层中第二类型杂质浓度取值不低于1*1018cm-3。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第一目标厚度与所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨忠武，鲁艳春，梁洪春，
申请(专利权)人：青岛惠科微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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