【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制造，尤其是涉及一种控片回收方法及正常状态控片。
技术介绍
1、随着现代科技的不断发展，芯片在我们的生活中扮演着越来越重要的角色。在半导体芯片产品的生产过程中，掺杂技术是一步十分重要的工艺，其能局部改变晶圆的导电率以及导电类型，同时利用掺杂可制造各种各样的器件结构。
2、常用的掺杂技术为离子注入工艺，为了精准控制掺入晶圆的杂质浓度，通常都会在离子注入或扩散掺杂时加入控片晶圆，通过测试控片晶圆的电阻率或方块电阻以监控掺杂浓度。
3、传统的控片经离子注入或扩散掺杂后，晶圆表面的电阻率发生了改变，这会影响到下次监控测量精度，因此控片一次使用后就会废弃或降档挡片使用，这造成了资源的极大浪费，加剧了制造成本。
技术实现思路
1、本申请提供一种控片回收方法及正常状态控片，旨在解决现有技术存在的上述技术问题。
2、为解决上述问题，本申请提供一种控片回收方法，控片回收方法包括：对待回收控片的监测表面进行一次抛光处理，得到监测表面为第一粗糙度的中间状态...
【技术保护点】
1.一种控片回收方法，其特征在于，所述控片回收方法包括：
2.根据权利要求1所述的控片回收方法，其特征在于，所述对待回收控片的监测表面进行一次抛光处理，得到监测表面为第一粗糙度的中间状态控片的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的控片回收方法，其特征在于，在所述按照预设抛除深度对所述待回收控片的监测表面进行一次抛光处理，得到所述中间状态控片的步骤之后，所述控片回收方法包括：
4.根据权利要求2所述的控片回收方法，其特征在于，在所述按照预设抛除深度对所述待回收控片的监测表面进行一次抛光处理，得到所述中间状态控片的步骤之后，所述控片回收方
【技术特征摘要】
1.一种控片回收方法，其特征在于，所述控片回收方法包括：
2.根据权利要求1所述的控片回收方法，其特征在于，所述对待回收控片的监测表面进行一次抛光处理，得到监测表面为第一粗糙度的中间状态控片的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的控片回收方法，其特征在于，在所述按照预设抛除深度对所述待回收控片的监测表面进行一次抛光处理，得到所述中间状态控片的步骤之后，所述控片回收方法包括：
4.根据权利要求2所述的控片回收方法，其特征在于，在所述按照预设抛除深度对所述待回收控片的监测表面进行一次抛光处理，得到所述中间状态控片的步骤之后，所述控片回收方法包括：
5.根据权利要求1所述的控片回收方法，其特征在于，在所述对所述中间状态控片的监测表面进行二次抛光处理，得到监测表面为第二粗糙度的正常状态控片的步骤之后，所述控片回收方法包括：
6.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：曲凯，鲁艳春，梁洪春，
申请(专利权)人：青岛惠科微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。