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肖特基二极管的制作方法及肖特基二极管技术
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文档序号:46071045
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本申请属于半导体器件技术领域,具体涉及一种肖特基二极管的制作方法及肖特基二极管,肖特基二极管的制作方法包括:在衬底上形成外延层,在外延层上层热氧化形成初始氧化层,在初始氧化层上刻蚀出金属淀积窗口,金属淀积窗口延伸至外延层,在金属淀积窗口沉积...
该专利属于青岛惠科微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过青岛惠科微电子有限公司授权不得商用。
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