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本申请属于半导体器件技术领域，具体涉及一种肖特基二极管的制作方法及肖特基二极管，肖特基二极管的制作方法包括：在衬底上形成外延层，在外延层上层热氧化形成初始氧化层，在初始氧化层上刻蚀出金属淀积窗口，金属淀积窗口延伸至外延层，在金属淀积窗口沉积...
该专利属于青岛惠科微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青岛惠科微电子有限公司授权不得商用。

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