半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法中相邻第一芯轴层之间的横向间隔均为第一尺寸，各个第一芯轴层的横向尺寸均为第二尺寸，在第一芯轴层的侧壁上形成第一侧墙层，第一侧墙层的横向尺寸为第三尺寸，因为两倍的第三尺寸与第二尺寸之和等于第一尺寸，因此相邻第一侧墙层的横向间隔相同，在以第一侧墙层为掩膜刻蚀芯轴材料层的步骤中，各个区域的芯轴材料层受到的刻蚀负载相同，使得依据第二芯轴层形成的相邻第二侧墙层之间的横向间隔易相同，从而依据第二侧墙层为掩膜刻蚀介电材料层的过程中，使得形成的分隔层的中心线不易发生偏移，解决了因非均匀掩膜图案导致的刻蚀负载问题，增强了半导体结构的可靠性，有利于量产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

1、随着集成电路的集成度不断提高，集成电路向亚微米、深亚微米方向快速发展，其图案线宽也将越来越细，这对半导体工艺提出了更高的要求。因此，对如何实现细线宽图案进行深入研究以适应半导体工艺的新要求已成为一个刻不容缓的课题。

2、自对准四重图形化技术(self-aligned quadruple patterning，简称saqp)作为光刻工艺的一种技术革新，旨在通过提升图形密度，大幅度提升集成电路的性能和容量。在传统光刻过程中，我们通常将光刻胶涂覆在半导体晶圆的表面上，随后利用特定波长的光线照射，通过光刻掩模来限定和形成所需的微型图案。而自对准四重图形化技术的引入，则标志着一种更高效、更精细的工艺方法的诞生。

3、在精密复杂的集成电路设计领域中，标准单元(standard cells)扮演着极其关键的角色。当技术节点向更小特征尺寸发展时，即便没有极紫外线(euv)光刻机供使用，自对准四图案化技术也能够进一步缩小图形间距，但目前半导体结构的可靠性仍有待进一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，相邻所述第一金属层之间的所述第二金属层的数量相同。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二金属层为信号线，所述第一金属层电源线。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一金属层的横向尺寸为第二金属层横向尺寸的三倍。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述介电层底部具有晶体管，所述晶体管包括栅极结构、位于栅极结构两侧的源漏掺杂层以及所述源漏掺杂层上的接触孔插塞；

6.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，相邻所述第一金属层之间的所述第二金属层的数量相同。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二金属层为信号线，所述第一金属层电源线。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一金属层的横向尺寸为第二金属层横向尺寸的三倍。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述介电层底部具有晶体管，所述晶体管包括栅极结构、位于栅极结构两侧的源漏掺杂层以及所述源漏掺杂层上的接触孔插塞；

6.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括多个相间隔的第一区域和位于相间隔第一区域之间的第二区域，所述第二区域的横向尺寸大于所述第一区域的横向尺寸；

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成第二侧墙层的步骤中，所述第二侧墙层包括多个器件侧墙和多个伪侧墙，所述第一区域的第二侧墙层为所述伪侧墙，所述第二区域的第二侧墙层为所述器件侧墙，且相邻伪侧墙之间的所述器件侧墙的数量相等；

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述伪侧墙的数量为四个，且每个所述第一区域中的伪侧墙为一个，相邻所述伪侧墙之间的器件侧墙的数量为五个；

10.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以所述第二侧墙层为掩膜刻蚀所述介电材料层形成分隔层的步骤中，所述分隔层包括多个器件分隔层和多个伪分隔层，所述第一区域的分隔层为所述伪分隔层，所述第二区域的分隔层为所述器件分隔层，且...

【专利技术属性】
技术研发人员：王维一，王爱梅，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：