【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例大体来说有关于一种耐等离子体的腔室组件及其制造方法。
技术介绍
半导体处理包含若干不同化学及物理工艺，藉以在基板上产生微小的集成 电路。组成集成电路的材料层利用多个等离子体工艺产生，例如化学气相沉积、 物理气相沉积以及诸如此类者。某些材料层利用光刻胶掩模和湿式或干式等离 子体蚀刻技术图案化。用来形成集成电路的基板可以是硅、砷化镓、磷化铟、 玻璃、或其它适合材料。在等离子体处理期间，能量化气体常由高腐蚀性种类组成，其蚀刻并腐蚀 腔室曝露出的部分及设置在其内的组件。被腐蚀的腔室组件必须在若干工艺周 期之后在造成不一致或不良的处理结果之前置换掉。此外，从腔室组件腐蚀出 的微粒可能会污染在该腔室内处理的基板，而造成工艺缺陷。因此，需要具有强化的等离子体耐受性的腔室组件。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供制造拥有良好等离子体耐受性的掺杂的石英组件的 方法。在一实施例中，用于等离子体腔室的掺杂的石英组件可包含掺杂钇的石 英环，配置来支撑基板。在另一实施例中，用于等离子体腔室的掺杂的石英组件可包含具有环状主 体的石英环，该环状主体适于界定基板支撑台并由适于暴...
【技术保护点】
一种用于等离子体腔室中的掺杂的石英组件，包含： 掺杂钇的石英环，配置来支撑基板。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：元洁，詹妮弗Y孙，段仁官，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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