提高CMP研磨速率稳定性的方法技术

本申请提供一种提高CMP研磨速率稳定性的方法，包括：步骤一，在研磨垫的使用初期，采用高压水冲洗的方式修整和清理研磨垫；步骤二，在研磨垫的使用中期，采用高压水冲洗和金刚石研磨盘相结合的方式修整和清理研磨垫；步骤三，在研磨垫的使用后期，采用高压水冲洗和金刚石研磨盘相结合的方式修整和清理研磨垫，金刚石研磨盘的使用次数多于步骤二中金刚石研磨盘的使用次数。通过在控制金刚石研磨盘移动方向的摆臂上设置一高压水冲洗装置，在研磨过程中使用高压水冲洗和金刚石研磨盘对研磨垫进行修整和清理，大幅度提高金刚石研磨盘和研磨垫的寿命的同时降低晶圆表面产生刮伤的几率，缩减生产成本提高产品质量。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，具体涉及一种提高cmp研磨速率稳定性的方法。

技术介绍

1、化学机械研磨(cmp:chemical mechanical polishing)工艺是通过化学研磨与机械研磨相结合的方法，使硅片表面平坦化。如图1所示，研磨过程中，研磨垫上有大量含有研磨料颗粒的研磨液，吸附于研磨头上的晶圆表面尤其是有凸起部位的材料与研磨液发生化学反应，生成一层相对容易去除的表面层，此表面层在磨料颗粒的压力作用下以及与研磨垫的相对运动中被机械地磨掉，使晶圆表面变得平坦。

2、研磨垫表面的粗糙度和空隙率与cmp的研磨速率有着直接的关系。金刚石研磨盘(disk)的主要作用就是优化研磨垫的厚度分布和表面形态，帮助研磨液在研磨垫上均匀分布，将因研磨导致空隙闭合的空隙重新割开，保证研磨垫表面研磨力的再生，防止表面玻璃化，同时带走研磨过程中所产生的研磨副产物以减少晶圆在研磨过程中由于研磨副产物带来的划伤缺陷。

3、标准的cmp工艺中，随着在研磨垫表面工作时间的延长，金刚石研磨盘逐渐钝化导致修整能力下降，使得研磨液不能均匀分布在研磨垫表面，影响cmp制本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种提高CMP研磨速率稳定性的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述研磨垫的使用初期，研磨的晶圆数量小于100。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述研磨垫的使用中期，研磨的晶圆数量大于等于100且小于300。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述研磨垫的使用后期，研磨的晶圆数量大于等于300。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在控制金刚石研磨盘移动方向的摆臂上设置一高压水冲洗装置，通过所述装置实施高压水冲洗。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征...

【技术特征摘要】

1.一种提高cmp研磨速率稳定性的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述研磨垫的使用初期，研磨的晶圆数量小于100。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述研磨垫的使用中期，研磨的晶圆数量大于等于100且小于300。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述研磨垫的使用后期，研磨的晶圆数...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙博，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：