通过牺牲层中的界面修改来消除释放蚀刻侵蚀制造技术

本发明专利技术描述制造微机电系统（ＭＥＭＳ）装置的方法。在一些实施例中，所述方法包括：在衬底上形成牺牲层；处理所述牺牲层的至少一部分以形成经处理的牺牲部分；在所述经处理的牺牲部分的至少一部分上形成上覆层；以及至少部分地移除所述经处理的牺牲部分以形成位于所述衬底与所述上覆层之间的腔，所述上覆层暴露于所述腔。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种制造微机电系统（ＭＥＭＳ）装置的方法，其包含：　在衬底上形成牺牲层；　处理所述牺牲层的至少一部分以形成经处理的牺牲部分；　在所述经处理的牺牲部分的至少一部分上形成上覆层；以及　至少部分地移除所述经处理的牺牲部分以 形成位于所述衬底与所述上覆层之间的腔，所述上覆层暴露于所述腔。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：涂桑佳，罗棋，杨家伟，戴维希尔德，叶夫根尼古塞夫，姜志伟，
申请(专利权)人：高通MEMS科技公司，
类型：发明
国别省市：US[]