等离子体处理装置的干式清洁方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种等离子体处理装置的干式清洁方法，所述等离子体处理装置包括：具备电介质部件的真空容器，设置在上述电介质部件的外侧的平面电极和高频天线，和通过分别对这些高频天线和平面电极供给高频功率、通过上述电介质部件将高频功率输入到上述真空容器内且产生感应耦合等离子体的高频电源，所述方法包括：将含氟气体导入到上述真空容器内的同时，利用上述高频电源将高频功率输入到上述真空容器内使上述含氟气体产生感应耦合等离子体的工序；和利用该感应耦合等离子体除去附着在上述电介质部件上的含有贵金属和强电介质中的至少一方的生成物的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，更具体地说，涉及在使用等离子体处理装置制造称为铁电随机存储器(FeRAM， Ferroelectric Random Access Memory )的强电介质存储器的存储元件，或者传感器、致动 器(actuator)、振荡器、滤波器等压电元件等时，可以有效地除去附着在 将高频功率输入到真空容器内的电介质部件上的生成物，且大幅减少颗粒的 同时，提高处理能力的。本申请以日本特愿2007-145018号为基础申请，将其内容合并于此。
技术介绍
目前，存在称为FeRAM的强电介质存储器。该强电介质存储器为包括下部电极层、强电介质层和上部电极层的层压 结构的存储元件，该强电介质存储器如下制造在基板上，将由绝缘体形成 的底层成膜，在该底层上依次将由Pt等贵金属形成的下部电极层、由PZT (Pb (Zr,Ti) 03)形成的强电介质层、由Pt等贵金属形成的上部电极层成 膜形成层压膜，对该层压膜实施蚀刻(例如，参照专利文献l等)。对该层 压膜进行蚀刻的工序中，例如使用利用了感应耦合等离子体的等离子体处理 装置。但是，在以往的利用了感应耦合等离子体的等离子体处理装置中，对层 压膜实施蚀刻时，在将高频功率输入到腔(真空容器)内的电介质部件上附 着构成层压膜的贵金属、强电介质，封闭高频功率，因此存在等离子体变得 不稳定的问题。进而，还存在由于剥离该附着物而层压膜的颗粒增加的问题。因此，为了除去该附着物，通过对静电结合的电极施加高频功率时产生的离子的冲击而除去附着物(参照专利文献2)。 专利文献1:日本特开2006-344785号公报 专利文献2:日本专利3429391号7>才艮但是，以往的附着物除去方法中，在附着物的厚度厚、或者附着物牢固 地附着等情况下，存在离子冲击所需时间长、除去效率降低的问题，以及处 理能力降低的问题。此外，若在除去附着物后再次形成层压膜，尽管进行了清洁，但是还存 在不能大幅减少颗粒数的问题。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述问题而提出的，其目的在于，提供可以有效地除 去附着在将高频功率输入到真空容器内的电介质部件上的贵金属、强电解 质，可以大幅减少颗粒数，可以提高处理能力的等离子体处理装置的干式清 洁方法。本专利技术人对除去附着在等离子体处理装置的电介质部件上的含有贵金 属和/或强电介质的生成物的干式清洁方法进行了深入研究。其结果发现， 如果将含氟气体导入到真空容器内，对该含氟气体输入高频功率，由此产生感应耦合等离子体，利用该感应耦合等离子体除去附着在电介质部件上的含 有贵金属和/或强电介质的生成物，则可以有效地除去附着物，可以大幅减 少颗粒数，可以提高处理能力，最终完成了本专利技术。即，对于本专利技术的，所述等离子体处 理装置包括具备电介质部件的真空容器，设置在所述电介质部件的外侧的 平面电极和高频天线，和通过分别对这些高频天线和平面电极供给高频功 率、通过所述电介质部件将高频功率输入到所述真空容器内且产生感应耦合 等离子体的高频电源，所述方法包括将含氟气体导入到所述真空容器内的 同时，利用所述高频电源将高频功率输入到所述真空容器内使所述含氟气体 产生感应耦合等离子体的工序；和利用该感应耦合等离子体除去附着在所述电介质部件上的含有贵金属和强电介质中的至少一方的生成物的工序。该干式清洁方法中，利用高频电源分别对高频天线和平面电极供给高频 功率，使导入到真空容器内的含氟气体产生感应耦合等离子体，通过该感应 耦合等离子体产生的氟离子以及自由基对附着在电介质部件上的含有贵金 属和/或强电介质的生成物进行、减射的同时，与这些贵金属和/或强电介质反 应，使这些贵金属和/或强电介质从电介质部件散逸。由此，可有效地从电介质部件除去附着物。因此，大幅减少由该附着物 产生的颗粒数，还可提高处理能力。所述含氟气体优选为氟化硫气体、氟化氮气体、氟化碳气体中的任意一种。所述贵金属优选含有选自铂、铱、钌、铑、钇、锇、氧化铱、氧化钌、 钌酸锶中的一种或两种以上。所述强电介质优选含有选自PZT ( Pb ( Zr，Ti) 03) 、 SBT ( SrBi2Ta209)、 BTO (Bi4Ti3012) 、 BLT ( ( Bi,La ) 4Ti3012 ) 、 BTO ( BaTi03)中的一种或 两种以上。所述贵金属和强电介质中的至少一方可以为用于强电介质存储器的存 储元件的构成材料。所述贵金属和强电介质中的至少一方可以为用于致动器或压电元件的 构成材料。根据本专利技术的，将含氟气体导入到真 空容器内的同时，利用高频电源将高频功率输入到上述真空容器内使上述含 氟气体产生感应耦合等离子体，通过该感应耦合等离子体除去附着在电介质 部件上的含有贵金属和强电介质中的至少一方的生成物。由此，可以有效地 除去附着在电介质部件上的贵金属、强电介质，可以大幅减少颗粒数，可以 提高处理能力。附图说明图1为实施本专利技术的一个实施方式的干式清洁方法时使用的等离子体处理装置的剖视图2为表示实施上述实施方式的干式清洁方法时使用的等离子体处理 装置具备的平面电极的形状的 一 例的俯视图3为表示实施上述实施方式的干式清洁方法时使用的等离子体处理 装置具备的平面电极的形状的其它例子的俯视图4为表示清洁后的颗粒个数的图。符号说明1真空腔2石英板3高频环形天线4, 11匹配器(MB)高频电源6永久f兹铁7平面电招_8可变电容器9晶片10基板支架12高频电源21, 22线状金属材料具体实施例方式以下对用于实施本专利技术的的一个实施方式进4亍i兌明。而且，本实施方式是为了更好地理解本专利技术主旨而进行的具体说明，只 要不特别指定，则不限定本专利技术。图1为实施本实施方式的时使用的、 利用了感应耦合等离子体的等离子体处理装置的剖视图。该图1中，符号l表示划定等离子体处理装置的处理室的真空腔(真空容器)。此外，符号2表示以密闭真空腔1的上部开口的状态安装的构成窗 的作为电介质部件的石英板。此外，符号3表示设置在石英板2的外侧的、 形成与石英板2平行的两巻环状的高频环形天线。此外，符号4表示与高频 环形天线3连接并具备匹配电路的匹配器(MB)。此外，符号5表示与匹 配器4连接的高频电源。此外，符号6表示在高频环形天线3的下侧，以环状配置成与该高频环 形天线3中流通的电流正交，且与石英板2平行的多个板状永久磁铁。此外， 符号7表示设置在石英板2与永久磁铁6之间的平面电极。此外，符号8表 示可以将容量调整为最优值(10pF 500pF)的可变电容器。此外，符号9 表示实施等离子体处理的晶片。此外，符号IO表示支撑晶片9的基板支架。 此外，符号ll表示与基板支架10连接并具备匹配电路的匹配器(MB)。 此外，符号12表示与匹配器11连接的高频电源。平面电极7由具有平面形状的线状金属材料构成，符合由石英板2形成 的窗的形状来构成，距离该石英板2以50mm以下的间隔来平行配置。平面电极7的形状，形成如图2所示的多根线状金属材料21从中心放 射状地延伸的星形，或者形成如图3所示的多根顶端部分枝的线状金属材料 22从中心放射状地延伸的星形。平面电极7的形状除了星形以外，还可以采用梳形状等。接下来，对该进行说明。称为FeRAM的强电介质存储器的包括层压膜的存储元件的成膜后，对 层压膜进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置的干式清洁方法，所述等离子体处理装置包括：真空容器，具备电介质部件，　平面电极和高频天线，设置在所述电介质部件的外侧，和　高频电源，用于通过分别对所述高频天线和所述平面电极供给高频功率、通过所述电介质部件将高 频功率输入到所述真空容器内产生感应耦合等离子体，　其特征在于，所述方法包括：　将含氟气体导入到所述真空容器内的同时，利用所述高频电源将高频功率输入到所述真空容器内使所述含氟气体产生感应耦合等离子体的工序；和利用该感应耦合等离子体 除去附着在所述电介质部件上的含有贵金属和强电介质中的至少一方的生成物的工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：植田昌久，小风丰，远藤光广，邹红罡，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：JP[]