【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种。更详细地说，涉及 一种适合用于液晶显示装置等显示装置中的半导体装置及其制造 方法。
技术介绍
半导体装置是具备利用半导体的电气特性的有源元件的电子 装置，广泛应用于例如音频设备、通信设备、计算机、家电设备等中。其中，具备薄膜晶体管(Thin Film Trasistor; TFT)的半导体 装置广泛应用于有源矩阵型液晶显示装置中的像素开关元件、驱动 电路等中。近年来，在移动使用的显示装置(显示器)中，低功耗化、高 功能化、高速动作化、高可靠性、高精细化、小型化等的要求逐渐 增加，正积极地开发满足这种要求的显示器。针对这种问题，提高 构成显示装置的各种电路的TFT的性能和分开制造具有最适合于 各种电路的特性的TFT的技术变得重要。因此，开发了在同一基板 上形成具有不同特性的TFT的技术。目前，为了分开制造用低电压(例如5V以下)驱动的TFT (以 下还称作"低电压晶体管")和用高电压(例如10V以上)驱动的TFT (以下还称作"高电压晶体管")，开发了改变两种TFT的栅极绝缘膜 的膜厚的方法。更具体地说，开发了如下技术在低电压晶体管中， 使栅极...
【技术保护点】
一种半导体装置，具有在基板的一方主面侧从基板侧起按顺序层叠有半导体层、绝缘膜以及配线的构造，其特征在于： 该半导体层具有第一半导体层和第二半导体层， 该第一半导体层具有第一沟道区域和包含与配线接触的第一接触部的第一源极／漏极区域 ， 该第二半导体层具有第二沟道区域和包含与配线接触的第二接触部的第二源极／漏极区域， 该绝缘膜具有从基板侧起按顺序层叠的第一绝缘膜和第二绝缘膜， 该第一绝缘膜形成在包含第二沟道区域并且除了第一沟道区域、第一接触部以及第二接 触部之外的区域上， 该第二绝缘膜形成在第一沟道区域和第一绝缘膜的与第二...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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