电阻元件、电抗元件及包含该电阻元件或电抗元件的电路制造技术

一种电阻元件，包括，第一电极、第二电极以及夹于所述第一电极和第二电极之间的基体；还包括：连接所述第一电极和第二电极的电性熔丝。以及，一种电抗元件，包括，第一电极、第二电极以及夹于所述第一电极和第二电极之间的基体；还包括：连接所述第一电极和第二电极的电性熔丝。还提供了一种包含该电阻元件或电抗元件的电路。修调所述电抗元件及电抗元件以调整其对电路性能的影响时，只需简单的操作。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造
，特别涉及一种电阻元件、电 抗元件及包含该电阻元件或电抗元件的电路。
技术介绍
实际生产中，由于生产工艺的不确定性以及其他一些因素的存在， 制得的电路在性能上可能存在一定的偏差。通常，可以对制得的电路中 比较关键的一些电阻元件或电抗元件进行修调，改变一个或者几个电阻 元件或电抗元件的电学参数，使制得的电路在性能上达到设计的目标和 要求。作为示例，实践中，若通过检测判定电路在性能上的偏差是由一确 定电阻的阻值发生偏差导致的，通常，需对所述电阻进行修调。传统的 电阻，只能利用激光调整方法进行修调。应用激光调整方法修调所述电阻时，需使用 一种精密的微调设备， 通过短脉冲激光扫面切割，改变所述电阻的导电截面积，达到对所述电 阻进行修调的目的。具体地，应用激光调整方法修调所述电阻时，利用高速高精度在线 测量系统测量所述电阻的电阻值，当电阻值达到目标值时，由电控开关 关断激光，完成所述电阻的修调过程。对于传统的电容、电感等电抗元 件，也只能以类似的方法进行所述电容、电感的^f'务调。如上所述，应用 激光调整方法修调所述电阻元件或电抗元件时，能够快速、高效地完成 批量、精确的切割操作，但是，操作繁杂。因此，期望提供一种电阻元件或电抗元件，^修调所述电阻元件或电抗 元件以调整其对电路性能的影响时，只需简单的操作。
技术实现思路
本技术提供了 一种电阻元件，修调所述电阻元件以调整其对电路性能的影响时，只需简单的操作。本技术提供了 一种包含上述电阻元件的系统，修调所述电阻元 件以调整其对电路性能的影响时，只需简单的操作。本技术提供了 一种电抗元件，修调所述电抗元件以调整其对电 路性能的影响时，只需简单的操作。本技术提供了 一种包含上述电抗元件的系统，修调所述电抗元 件以调整其对电路性能的影响时，只需简单的操作。本技术4是供了一种电阻元件，包括，第一电极、第二电极以及夹于所述第一电极和第二电极之间的基体；还包括连接所述第一电极 和第二电极的电性熔丝。可选地，流经所述电性熔丝的电流大于或等于所述电性熔丝的极限 电流时，所述电性熔丝呈断开状态；可选地，所述电阻元件为电阻或电阻网^^中的一种；可选;l也，所述电阻元件为开关电源系统中的电流感应电阻和/或输出反^t分压电阻。本技术提供了一种包含上述电阻元件的电路，所述电路包含参考电阻元件，所述电阻元件与所述参考电阻元件串if关，以调整所述参考 电阻元件的电阻4直。本技术提供了一种电抗元件，包括，第一电极、第二电极以及 夹于所述第一电极和第二电极之间的基体；还包括连接所述第一电极 和第二电极的电性熔丝。可选地，流经所述电性熔丝的电流大于或等于所述电性熔丝的极限 电流时，所述电性熔丝呈断开状态；可选地，所述电抗元件为电容或电 感中的一种；可选地，所述电抗元件为开关电源系统中的原边绕组、副 边绕组和/或辅助绕组。4本技术提供了 一种包含上述电抗元件的电路，所述电路包含参考 电抗元件，所述电抗元件与所述参考电抗元件串联，以调整所述参考电 抗元件的电学参数值。与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点上述技术方案提供的电阻元件，通过在所述第一电极和第二电极之间 连接电性熔丝，使得可通过控制所述电阻元件中电性熔丝的状态来调整 所述电阻元件的电阻值，如，在需要电性熔丝为连接状态时，施加于所 述电性熔丝上的电流需小于所述电性熔丝的极限电流，此时，电阻元件表现为具有零电阻值的电阻元件；在需要电性熔丝为断开状态时，施加 于所述电性熔丝上的电流需大于或等于所述电性熔丝的极限电流，此时， 该电阻元件表现为具有一定电阻值的电阻元件；上述技术方案提供的包含上述电阻元件的电路,在需要对电路中的参 考电阻元件进行修调时，只需预先将所述参考电阻元件与所述电阻元件 相连(如串联)，再通过调整所述电阻元件中电性熔丝的状态，即可达 到利用所述参考电阻元件调整由其引入的电阻值以优化电路性能的目 的；上述技术方案提供的电抗元件，通过在所述第一电极和第二电极之间 连接电性熔丝，使得可通过控制所述电抗元件中电性熔丝的状态来调整 所述电抗元件的电学参数值，如，在需要电性熔丝为连接状态时，施加 于所述电性熔丝上的电流需小于所述电性熔丝的极限电流，此时，电抗 元件表现为具有零电抗值的电抗元件；在需要电性熔丝为断开状态时， 施加于所述电性熔丝上的电流需大于或等于所述电性熔丝的;feL限电流， 此时，该电抗元件表现为具有一定电抗ii的电抗元件；上述技术方案提供的包含上述电抗元件的电路，在需要对电路中的参 考电抗元件进行修调时，只需预先将所述参考电抗元件与所述电抗元件 相连(如串联)，再通过调整所述电抗元件中电性熔丝的状态，即可达到利用所述参考电抗元件调整由其引入的电学参数以优化电路性能的目的。附图说明图1为本技术电阻元件实施例的结构原理示意图2为本技术电阻实施例的结构示意图3为应用本技术电阻实施例修调参考电阻的原理示意图4为本技术电抗元件实施例的结构原理示意图5为将本技术实施例应用于开关电源系统时开关电源系统的电路示意图。具体实施方式尽管下面将参照附图对本技术进行更详细的描述，其中表示了 本技术的优选实施例，应当理解本领域技术人员可以修改在此描述 的本技术而仍然实现本技术的有利效果。因此，下列的描述应 当被理解为对于本领域技术人员的广泛教导，而并不作为对本技术 的限制。为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细 描述公知的功能和结构，因为它们会使本技术由于不必要的细节而 混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以 实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个 实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂 和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本技术。根据 下列说明本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用 非常筒化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明 本技术实施例的目的。当测试发现制得的电路性能发生偏差，不能达到i殳计要求时，利用键影响的电阻元件及电抗元件进行修调，可实现调整电路参数的目的， 并最终可使电路性能达到要求。如图l所示，本技术提供了一种电阻元件，所述电阻元件包括，第一电极IO、第二电极20以及夹于所述第一电极10和第二电极20之间的 基体12;特别地，所述电阻元件还包括连接所述第一电才及10和第二电 才及20的电性熔丝21。本文件内，术语"基体"意指传统电阻元件或电抗元件中夹于第一电 极和第二电极之间的部分；如，所述电阻元件为电阻时，所述基体为佳:电阻具有确定阻值的基片；所述电抗元件为电容时，所述基体为使电容 具有确定容值的介质；所述电抗元件为电感时，所述基体为夹于所述第 一电极和第二电极之间的线圈。作为所述电阻元件的第一实施例，所述电阻元件为电阻。如图2所示， 所述电阻包括，第一电极40、第二电极42以及夹于所述第一电极40和第 二电极42之间的基体44,以及，连接所述第一电极40和第二电极42的电 性熔丝21。换言之，本技术提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电阻元件，包括，第一电极、第二电极以及夹于所述第一电极和第二电极之间的基体；其特征在于，还包括：连接所述第一电极和第二电极的电性熔丝。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡东胜，谢佳，陈超，
申请(专利权)人：BCD半导体制造有限公司，
类型：实用新型
国别省市：KY[开曼群岛]