【技术实现步骤摘要】
本揭示内容提供一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、全栅极(gate-all-around,gaa)场效晶体管(gate-all-around field effecttransistor,gaafet)，例如纳米片或纳米线的全栅极场效晶体管，与其他类型的场效晶体管相比，全栅极场效晶体管的栅极结构覆盖半导体鳍结构的侧壁部分和顶表面，因此改善栅极对通道区域的控制。由于全栅极的几何形状，全栅极的纳米片和纳米线场效晶体管可实现更大的有效的通道宽度和更高的驱动电流。
技术实现思路
1、本揭示内容提供一种半导体结构。半导体结构包括基板、纳米结构元件、栅极结构、内间隙物结构、第一磊晶层及第二磊晶层。纳米结构元件在基板上。栅极结构围绕纳米结构元件。内间隙物结构与栅极结构相邻。第一磊晶层与纳米结构元件的侧表面接触并位在内间隙物结构的侧表面上。第二磊晶层与第一磊晶层接触，其中第一磊晶层的掺杂剂浓度小于第二磊晶层的掺杂剂浓度。
2、本揭示内容也提供一种半导体结构。半导体结构包括基板、多个纳米...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括一栅极间隙物在该纳米结构元件上，其中该第一磊晶层在该栅极间隙物的一侧表面上。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，其中该第一磊晶层的一垂直长度大于该纳米结构元件的一厚度。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，其中该第一磊晶层位于该纳米结构元件与该栅极结构之间的一界面的一边缘上。
5.一种半导体结构，其特征在于，包括：
6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，其中该磊晶层的一掺杂剂浓度大于该扩散...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括一栅极间隙物在该纳米结构元件上，其中该第一磊晶层在该栅极间隙物的一侧表面上。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，其中该第一磊晶层的一垂直长度大于该纳米结构元件的一厚度。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，其中该第一磊晶层位于该纳米结构元件与该栅极结构之间的一界面的一边缘上。
5.一种半导体结构，其特征在于，包...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕惟皓，温政彥，李啟弘，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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