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本揭示内容关于一种半导体结构及其形成方法。结构包括全栅极场效晶体管的源极/漏极磊晶结构中的扩散阻挡结构。扩散阻挡结构与全栅极场效晶体管的纳米片层接触且在与纳米片层相邻的内间隙物结构的侧表面上延伸。扩散阻挡结构将源极/漏极磊晶结构的高掺杂区域...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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