薄膜晶体管及其制造方法技术

薄膜晶体管，其设置有以下各元件：源电极、漏电极和栅电极三个电极；沟道层；和栅绝缘膜，其中至少所述沟道层由包括铟的金属氧化物膜制成。由此，可以获得薄膜晶体管，其可制造在高聚合物基材上的元件而不施加高温工艺，并且其能够以低成本实现高性能和高可靠性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，在所述薄膜晶体管 中，沟道层和电极如源电极、漏电极和栅电极由金属氧化物膜形成。
技术介绍
一般而言，经常将无定形硅用于薄膜晶体管。因此，需要 利用高温工艺和昂贵的沉积系统。而且，由于需要使用高温工 艺，所以难以制造由聚合物基质制成的元件。因此，为了以低成本在PET上形成电子器件，使用不需要 复杂设备的简易低温工艺、或使用通过简易工艺能够获得足够 性质的材料及其组合、或者开发简易的器件构造是绝对必要的。在此情况下，为了实现电子光学器件，使用氧化物半导体 特别是透明氧化物半导体是绝对必要的。最近，报道了使用由 In-Ga-Zn-O(IGZO)制成的氧化物半导体作为沟道层的挠性TFT 元件提供了与a-Si等同的优良性质。(非专利文献l: Nature, 2004，432巻，488页)，其证实了氧化物半导体的可行性。然而，当IGZO显示非常高的性质时，其包含有毒的Ga并且 需要以非常精确的方式控制膜中的氧含量。因此，存在其加工 性和其成膜控制性方面的缺陷。而且，由于其包含三种金属元素，所以存在其组成变得复杂的缺陷。此外，由于它是至今未 加工的材料，所以存在难以实现新设置至生本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其包括以下各元件：源电极、漏电极和栅电极三个电极；沟道层；和栅绝缘膜，其中所述沟道层由包含铟的金属氧化物膜形成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：椎野修，岩渊芳典，樱井良，船木竜也，
申请(专利权)人：株式会社普利司通，
类型：发明
国别省市：JP[日本]