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薄膜晶体管，其设置有以下各元件：源电极、漏电极和栅电极三个电极；沟道层；和栅绝缘膜，其中至少所述沟道层由包括铟的金属氧化物膜制成。由此，可以获得薄膜晶体管，其可制造在高聚合物基材上的元件而不施加高温工艺，并且其能够以低成本实现高性能和高可靠...
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