【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体芯片，尤其涉及一种半导体结构、存储系统及半导体结构的制备方法。
技术介绍
1、随着存储单元的特征尺寸接近工艺下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高昂，这造成2d(2-dimension，二维)或者平面nand闪存的存储密度接近上限。
2、为克服2d或者平面nand闪存带来的限制，业界已经研发了具有三维结构的存储器(3d nand)，通过将存储单元三维地布置在衬底或者源极层之上来提高存储密度。
技术实现思路
1、本公开的实施例提供一种半导体结构、存储系统及半导体结构的制备方法，旨在解决电源线的布线灵活度受限的问题。
2、为达到上述目的，本公开的实施例采用如下技术方案：
3、一方面，提供一种半导体结构。所述半导体结构包括第一半导体结构、第二半导体结构和外围互连层。第一半导体结构包括外围电路。第二半导体结构，位于第一半导体结构的一侧，且和第一半导体结构连接。第二半导体结构包括堆叠结构，位于堆叠结构的远离第一半导体结构一侧的半导体层，以及...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述外围互连层包括层叠设置的第一电源线层和第二电源线层，所述第一电源线层包括所述多条电源线中的第一组电源线；所述第二电源线层包括所述多条电源线中的第二组电源线；
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电源线层和所述第二电源线层中，一者中的每条电源线与另一者中的至少一条电源线耦接。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第二半导体结构包括中心区和外围区，所述堆叠结构、所述半导体层、所述公共源极层位于所述中心区；所述外
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述外围互连层包括层叠设置的第一电源线层和第二电源线层，所述第一电源线层包括所述多条电源线中的第一组电源线；所述第二电源线层包括所述多条电源线中的第二组电源线；
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电源线层和所述第二电源线层中，一者中的每条电源线与另一者中的至少一条电源线耦接。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第二半导体结构包括中心区和外围区，所述堆叠结构、所述半导体层、所述公共源极层位于所述中心区；所述外围互连层还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电源线层相对于所述第二电源线层远离所述第二半导体结构；所述第一组接触柱包括：
7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述多个接触柱还包括第二组接触柱；所述第二组接触柱的一端与所述公共源极层耦接，所述第二组接触柱的另一端与所述外围电路耦接。
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第二半导体结构还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘雅琴，陈亮，王美，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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