【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种外延生长方法及外延生长装置。
技术介绍
1、外延生长是指在单晶硅衬底上，通过外延(epitaxy)技术生长一层单晶薄膜(晶体方向与衬底晶体方向一致)的工艺过程。外延晶圆的整个生产流程包括长晶(多晶硅料拉制硅晶棒)→成型(切片研磨)→抛光(双面抛光)→清洗(去除表面微粒、金属离子和有机物)→外延(气相沉积)五大工序，其中外延作为最后一道重要工序，可以改善抛光片的晶体性质、原生缺陷、应力以及平坦度等。
2、如图1所示，外延生长设备一般包括：上部石英钟罩1，下部石英钟罩2，进气口，排气口，卤素灯3，安装部件4、顶部温度计9、底部温度计10。上部石英钟罩1和下部石英钟罩2围设成的反应腔室中，设置有用于放置硅片的基座6、基座支撑杆7以及硅片支撑杆。在将硅片8输入到反应腔室内并载置在该反应腔室内的基座6上后，由设置在基座6上侧的上加热模组和设置在基座6下侧的下加热模组对硅片8进行加热，并将原料气体5供给到该硅片8的表面上，由此进行气相外延生长，将通过气相外延生长得到的外延片输出到反应腔室外。在生长过...
【技术保护点】
1.一种外延生长方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述方法具体包括：
3.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述方法具体包括：
4.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述方法具体包括：
5.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述方法具体包括：
6.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述对所述外延硅片边缘的多个预设测试点位进行应力测试，根据得到的应力值计算所述外延硅片的边缘应力包括：
7.根据权利要求1所述的外...
【技术特征摘要】
1.一种外延生长方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述方法具体包括：
3.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述方法具体包括：
4.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述方法具体包括：
5.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述方法具体包括：
6.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述对所述外延硅片边缘的多个预设测试点位进行应力测试，根据得到的应力值计算所述外延硅片的边缘应力包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘晨阳，王力，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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