【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种外延腔与交换腔之间产生颗粒的改善方法。
技术介绍
1、在半导体制造工艺中，外延生长是一种关键步骤，用于在硅片上形成高质量的单晶层；外延层的质量直接关系到最终器件的性能和可靠性，然而，在外延腔与交换腔之间容易产生颗粒，这些颗粒会严重影响外延层的质量，导致器件性能下降甚至失效。
2、现有的技术中，通常采用一些简单的吹扫和抽气方法来减少颗粒的产生，但这些方法的效果有限，然而，现有的技术在该领域中存在一些问题；例如，中国专利cn108624955 b公开了一种反应腔室及外延生长设备，该技术通过在基座与腔体底部之间的间隙中提供吹扫气体，有效减少了附着在基座和腔体底部零部件表面的反应副产物，降低了颗粒污染的风险，但是，该技术并未解决外延腔与交换腔之间的压力差问题，导致硅片进入外延腔前，腔内颗粒吹到硅片表面，影响外延质量。
技术实现思路
1、本专利技术要解决上述现有技术存在的问题，提供一种外延腔与交换腔之间产生颗粒的改善方法，通过多阶段处理，有效去除氧化...
【技术保护点】
1.一种外延腔与交换腔之间产生颗粒的改善方法，其特征是，包括以下阶段：
2.根据权利要求1所述的一种外延腔与交换腔之间产生颗粒的改善方法，其特征是，所述第一阶段去除氧化物具体包括：
3.根据权利要求2所述的一种外延腔与交换腔之间产生颗粒的改善方法，其特征是，所述预设温度的范围为700-900℃，并且在升温过程中，采用逐步升温的方式，每升高50℃保持稳定5分钟，以确保硅片表面氧化物完全去除；通过控制升温速率，将热应力控制在10MPa以内，同时将颗粒生成量控制在每立方厘米不超过8个颗粒；
4.根据权利要求1所述的一种外延腔与交换腔之间产...
【技术特征摘要】
1.一种外延腔与交换腔之间产生颗粒的改善方法，其特征是，包括以下阶段：
2.根据权利要求1所述的一种外延腔与交换腔之间产生颗粒的改善方法，其特征是，所述第一阶段去除氧化物具体包括：
3.根据权利要求2所述的一种外延腔与交换腔之间产生颗粒的改善方法，其特征是，所述预设温度的范围为700-900℃，并且在升温过程中，采用逐步升温的方式，每升高50℃保持稳定5分钟，以确保硅片表面氧化物完全去除；通过控制升温速率，将热应力控制在10mpa以内，同时将颗粒生成量控制在每立方厘米不超过8个颗粒；
4.根据权利要求1所述的一种外延腔与交换腔之间产生颗粒的改善方法，其特征是，所述第二阶段溶解杂质具体包括：
5.根据权利要求4所述的一种外延腔与交换腔之间产生颗粒的改善方法，其特征是，所述通入氯化氢气体的持续时间为10-100s，氯化氢气体的流量为50-80slm。
6.根据权利要求1所述的一种外延腔与交换腔之间产生颗粒的改善方法，其特征是，所述第三阶段清洁具体包括：
7.据权利要求6所述的一种外延腔与交换腔之间产生颗粒的改...
【专利技术属性】
技术研发人员：雷金澌，付成辛，刁睿，杨伟，杨金峰，
申请(专利权)人：浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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