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本发明涉及一种外延腔与交换腔之间产生颗粒的改善方法，其特征是，包括以下阶段：S100、第一阶段去除氧化物，将外延腔内温度升高至预设温度，并通入氢气，以去除硅表面氧化物；S200、第二阶段溶解杂质，向外延腔内通入氯化氢气体，以溶解腔体内的金属...
该专利属于浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司授权不得商用。

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