本发明涉及外延炉的技术领域，且公开了一种单片式外延设备及方法，包括炉体，炉体上方设置有顶盖，炉体上设置有连接台，炉体上固定安装有支撑板，顶盖设置在支撑板上，连接台上设置有托板，托板上侧开设有若干个凹槽，每个凹槽内均活动连接有基座，每个基...

本发明公开了改善硅片电阻率均一性的硅片外延生长支撑设备及方法，涉及到硅片外延生长支撑设备技术领域，包括旋转底座加热器，旋转底座加热器的内部设置有用于消除旋转流的导流机构，导流机构的内部设置有负压吸附硅片的支撑机构，支撑机构的内部设置有为...

本发明涉及用于制作半导体设备的技术领域，且公开了一种外延生产设备及方法，包括炉体，炉体内部的两侧分别开设有生长室与进料仓，进料仓的内部设置有生长盘，进料仓的内部设置有存放组件，存放组件包括有框板，框板的下方设置有外环，外环的上端开设有上...

本发明公开了一种降低硅片翘曲度的硅片衬底传送系统及方法，本发明涉及硅片衬底输送装置技术领域。该降低硅片翘曲度的硅片衬底传送系统通过在工艺室的外围对称设置两个预热室，使得硅片衬底在进入到工艺室之前能够先进行预热，预热的过程为缓慢进行，即温...

本发明涉及硅片清洗技术领域，且公开了一种高纯氮气环境下的硅片清洗烘干系统及操作工艺，包括烘干机、桌腿和传送装置，桌腿顶部固定连接有底板，底板一侧固定连接有左板,底板另一侧固定连接有右板,右板顶部固定连接有顶板,右板通过顶板与左板固定连接...

本发明涉及硅片上下料技术领域，且公开了一种支持多规格硅片的分选上下料系统及方法，包括底座、四面存片装置、升降导片装置、检测设备和可调传动装置，通过设置四面存片装置，节省了空间，节约了上料时机械臂的等待时间，提高了硅片的上料效率；通过设置...

本发明属于硅片传输领域，涉及数据分析技术，用于解决现有技术中的硅片传输系统无法根据硅片传输效率的监测数据对硅片吸附单元的运行状态进行反馈的问题，具体是一种硅片吸附单元、带此单元的传输系统及操作方法，包括传输控制平台，传输控制平台通信连接...

本发明涉及一种外延设备内部尾气管路的设计方法，所属硅片外延装置技术领域，外延设备内部尾气管路包括尾气收集连接管，尾气收集连接管上端设有连接支架，连接支架与尾气收集连接管间设有尾气过渡输送管，尾气过渡输送管与尾气收集连接管间设有管道加热器...

本发明涉及晶圆清洗技术领域，具体涉及CV前处理洗净机的花篮承载晶圆系统及操作方法，包括用于调节承载尺寸以放置不同尺寸的晶圆的调节机构，本发明通过调节机构的第一调节组件从晶圆的外侧对晶圆进行限位，从篮框对角的位置对晶圆进行限位，避免传统通...

本发明公开了一种8寸面检机机器人的柔性锁紧夹爪结构及操作方法，本发明涉及柔性锁紧夹爪结构技术领域。该8寸面检机机器人的柔性锁紧夹爪结构及操作方法通过设置调节结构以及吹气机构在使用时，能够将两个柔性夹爪相互靠近后，自动对柔性夹爪的夹取部位...

本发明涉及一种移栽机装置机构的改装方法，所属硅片加工设备技术领域，包括如下操作步骤：第一步：确认移栽夹取组件的宽度为385mm，两侧导向柱的开度间距达到415mm。第二步：移栽夹取组件夹取硅片盒运行至托盘上方。第三步：由钢带放卷，使得移...

本发明涉及一种运用于8英寸装运片盒的清洗工艺，所属片盒清洗技术领域，包括如下的操作步骤：第一步：将片盒放入

本发明涉及一种背封衬底片外延变形值的改善方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：控制外延片的Warp

本发明涉及一种关于外延后背封pattern解决办法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：外延时由于高温环境下外延片会产生一定的形变，在外延片加上一层背封后形变会更加明显。第二步：将外延片从反应腔里取出时，需要由三枚顶针从基座...

本实用新型属于外延炉技术领域，尤其涉及一种外延炉，包括设备本体、控制装置，此外还包括：两根立柱，其分别设在设备本体的两侧，控制装置与两根立柱沿竖直方向滑动连接；锁紧卡齿条，其沿竖直方向设置在两根立柱之间，其设在设备本体上；连接座，其设在...

本发明涉及一种改善8寸晶圆外延后倒角面多晶硅残留的方法，所属半导体加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：初步筛选粗片厚度规格，将符合规格要求的进行一次倒角加工。第二步：完成一次倒角加工后的晶圆进行磨片，接着进行二次倒角加工。第三步：进...

本实用新型属于硅片生产技术领域，尤其涉及一种硅片检测结构，包括：检测箱体，所述检测箱体中设置有检测摄像头；输送带，所述输送带可穿过检测箱体；还包括：表面清洁件，所述表面清洁件设置在检测箱体中且位于检测摄像头的前侧用于在硅片检测前清理硅片...