改善8寸晶圆外延后倒角面多晶硅残留的方法技术

本发明专利技术涉及一种改善8寸晶圆外延后倒角面多晶硅残留的方法，所属半导体加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：初步筛选粗片厚度规格，将符合规格要求的进行一次倒角加工。第二步：完成一次倒角加工后的晶圆进行磨片，接着进行二次倒角加工。第三步：进行酸腐蚀，然后采用背损伤喷砂机对晶圆进行背损伤加工工艺；第四步：进行边缘抛光，最终倒角宽幅规格为X1：320

【技术实现步骤摘要】
改善8寸晶圆外延后倒角面多晶硅残留的方法


[0001]本专利技术涉及半导体加工
，具体涉及一种改善8寸晶圆外延后倒角面多晶硅残留的方法。

技术介绍

[0002]中国专利《消除多晶硅残留的方法》，申请号为：201610307725.4，公开了包括：在衬底中形成沟槽，并且在衬底表面以及沟槽底部及侧壁上形成氧化物层；沉积多晶硅层，而且所述多晶硅层填充了沟槽；对所述多晶硅层进行化学机械研磨处理以形成减薄的多晶硅层；执行预清洗以清洗硅片表面；对硅片进行退火，使得所述多晶硅层表面氧化生成二氧化硅层；去除所述多晶硅层表面的二氧化硅层；去除硅片表面剩余的多晶硅，仅剩下沟槽内的全部或部分多晶硅。该工艺过程在多晶硅层的化学机械研磨处理后先进行退火处理可以去除类似碳基的缺陷，使多晶硅表面相对纯净。
[0003]众所周知，外延工艺是单晶硅衬底加工工艺中的常见工艺。它直接影响衬底上加工出来的器件的性能。一般抛光硅片加工时，做完背封再进行边缘抛光加工，导致边缘表面不平整，外延后可能会发生倒角面多晶硅残留的情况。

技术实现思路

[0004]本专利技术主要解决现有技术中存在的不足，提供了一种改善8寸晶圆外延后倒角面多晶硅残留的方法，其通过对衬底的改变倒角面处理条件，减少了外延后倒角面的多晶残留。
[0005]本专利技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：一种改善8寸晶圆外延后倒角面多晶硅残留的方法，包括如下操作步骤：第一步：初步筛选粗片厚度规格，将符合规格要求的进行一次倒角加工，倒角角度为20/>°
～24
°
，晶圆直径目标值为200.7
±
0.1mm。
[0006]第二步：完成一次倒角加工后的晶圆进行磨片，接着进行二次倒角加工，倒角宽幅X1、X2目标值390
±
50um，倒角角度为21
°
～23
°
，晶圆直径目标值200.05
±
0.04mm。
[0007]第三步：进行酸腐蚀，然后采用背损伤喷砂机对晶圆进行背损伤加工工艺；第四步：进行边缘抛光，晶圆抛光片经过边缘抛光后的最终倒角宽幅规格为X1：320
±
70um，X3：252
±
100um，X2：350
±
100um，R1=R2：150
±
50um，θ1=θ2：22
±1°
，倒角X1，X2和X3面均无硅渣残留。
[0008]第五步：进行APCVD即常压化学气相淀积，通过在APCVD成膜仪器在大气压下进行的一种化学气相淀积的方法。
[0009]第六步：进行LPCVD即低压力化学气相沉积法，广泛用于氧化硅、氮化物、多晶硅沉积， LPCVD过程在管炉中执行。
[0010]第七步：进行单面抛光，接着去蜡洗净，然后进行最终洗净。
[0011]作为优选，经过边缘抛光后的晶圆抛光片，再进行表面处理，即APCVD和LPCVD工
序，使得最后包裹倒角面的多晶硅层更加完整，在此工艺步骤下外延后硅片倒角面无多晶硅残留。
[0012]作为优选，所述的一次倒角使用R型且粒度800目的砥石。
[0013]作为优选，所述的二次倒角使用GK型（R=0.15mm）且粒度1500目的砥石。
[0014]作为优选，所述的晶圆粗片厚度选用规格要求为835
±
15um。
[0015]作为优选，所述的晶圆经过酸腐蚀双面减薄后厚度目标值为739
±
8um。
[0016]作为优选，所述的晶圆经过单面抛光后，抛光厚度为725
±
15um。
[0017]作为优选，晶圆通过浓度比为氨水：双氧水：水=1:2:20的溶液清洗5～10min，去除掉硅片表面的颗粒，然后再用纯水溢流去掉药液，接着晶圆在腐蚀笼内进行酸腐蚀过程，腐蚀结束后快速将腐蚀笼取出，采用快速排水的方式用大量纯水进行冲洗，直到水的pH大于6时结束，接着采用甩干机甩干。
[0018]作为优选，酸腐蚀过程腐蚀温度：34℃～36℃；氮气鼓泡：55～65L/min；反应时间：55s；硅片转速20～25rpm/min；氢氟酸浓度：11～13wt%；硝酸：28～33wt%；醋酸21～25wt%。
[0019]本专利技术能够达到如下效果：本专利技术提供了一种改善8寸晶圆外延后倒角面多晶硅残留的方法，与现有技术相比较，通过对衬底的改变倒角面处理条件，减少了外延后倒角面的多晶残留。
附图说明
[0020]图1是本专利技术的倒角宽幅示意图。
具体实施方式
[0021]下面通过实施例，并结合附图，对专利技术的技术方案作进一步具体的说明。
[0022]实施例：如图1所示，一种改善8寸晶圆外延后倒角面多晶硅残留的方法，包括如下操作步骤：第一步：初步筛选粗片厚度规格，晶圆粗片厚度选用规格要求为835
±
15um。将符合规格要求的进行一次倒角加工，一次倒角使用R型且粒度800目的砥石。倒角角度为20
°
～24
°
，晶圆直径目标值为200.7
±
0.1mm。
[0023]第二步：完成一次倒角加工后的晶圆进行磨片，接着进行二次倒角加工，二次倒角使用GK型（R=0.15mm）且粒度1500目的砥石。倒角宽幅X1、X2目标值390
±
50um，倒角角度为21
°
～23
°
，晶圆直径目标值200.05
±
0.04mm。
[0024]第三步：进行酸腐蚀，晶圆通过浓度比为氨水：双氧水：水=1:2:20的溶液清洗5～10min，去除掉硅片表面的颗粒，然后再用纯水溢流去掉药液，接着晶圆在腐蚀笼内进行酸腐蚀过程，酸腐蚀过程腐蚀温度：34℃～36℃；氮气鼓泡：55～65L/min；反应时间：55s；硅片转速20～25rpm/min；氢氟酸浓度：11～13wt%；硝酸：28～33wt%；醋酸21～25wt%。腐蚀结束后快速将腐蚀笼取出，采用快速排水的方式用大量纯水进行冲洗，直到水的pH大于6时结束，接着采用甩干机甩干。晶圆经过酸腐蚀双面减薄后厚度目标值为739
±
8um。然后采用背损伤喷砂机对晶圆进行背损伤加工工艺。
[0025]第四步：进行边缘抛光，晶圆抛光片经过边缘抛光后的最终倒角宽幅规格为X1：320
±
70um，X3：252
±
100um，X2：350
±
100um，R1=R2：150
±
50um，θ1=θ2：22
±1°
，倒角X1，X2
和X3面均无硅渣残留。
[0026]第五步：进行APCVD即常压化学气相淀积，通过在APCVD成膜仪器在大气压下进行的一种化学气相淀积的方法。
[0027]第六步：进行LPCVD即低压力化学气相沉积本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善8寸晶圆外延后倒角面多晶硅残留的方法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：初步筛选粗片厚度规格，将符合规格要求的进行一次倒角加工，倒角角度为20
°
～24
°
，晶圆直径目标值为200.7
±
0.1mm；第二步：完成一次倒角加工后的晶圆进行磨片，接着进行二次倒角加工，倒角宽幅X1、X2目标值390
±
50um，倒角角度为21
°
～23
°
，晶圆直径目标值200.05
±
0.04mm；第三步：进行酸腐蚀，然后采用背损伤喷砂机对晶圆进行背损伤加工工艺；第四步：进行边缘抛光，晶圆抛光片经过边缘抛光后的最终倒角宽幅规格为X1：320
±
70um，X3：252
±
100um，X2：350
±
100um，R1=R2：150
±
50um，θ1=θ2：22
±1°
，倒角X1，X2和X3面均无硅渣残留；第五步：进行APCVD即常压化学气相淀积，通过在APCVD成膜仪器在大气压下进行的一种化学气相淀积的方法；第六步：进行LPCVD即低压力化学气相沉积法，广泛用于氧化硅、氮化物、多晶硅沉积， LPCVD过程在管炉中执行；第七步：进行单面抛光，接着去蜡洗净，然后进行最终洗净。2.根据权利要求1所述的改善8寸晶圆外延后倒角面多晶硅残留的方法，其特征在于：经过边缘抛光后的晶圆抛光片，再进行表面处理，即APCVD和LPCVD工序，使得最后包...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈小劼，
申请(专利权)人：浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：