半导体装置的制造方法、异常预兆检测方法、异常预兆检测程序以及基板处理装置制造方法及图纸

本申请提供一种执行包括多个步骤的工艺制程来处理基板的技术，该技术具有：振动数据取得工序，在执行所述工艺制程的同时，从振动传感器取得对处理所述基板的处理室的气氛进行排气的部件的振动数据；以及异常预兆检测工序，基于所取得的所述振动数据，在所述部件的旋转频率下的振动的大小与所述旋转频率的整数倍的对比频率下的振动的大小之比超过预先设定的异常预兆阈值的情况下，检测为有异常预兆。兆。兆。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法、异常预兆检测方法、异常预兆检测程序以及基板处理装置


[0001]本公开涉及半导体装置的制造方法、异常预兆检测方法、异常预兆检测程序以及基板处理装置。

技术介绍

[0002]已知有在硅晶圆等基板上形成薄膜来制造半导体装置的基板处理装置、半导体装置的制造方法。例如在日本特开2014
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127702号公报中公开了一种半导体装置的制造方法，向收容基板的处理室依次供给原料气体、与原料气体发生反应的反应气体，在收容于处理室内的基板上形成薄膜。
[0003]通常，这样的基板处理装置由对处理室内进行真空排气的真空泵、控制反应性气体等的流量的质量流量控制器、开闭阀、压力计、对处理室进行加热的加热器、以及搬送基板的搬送机构等各种部件构成。
[0004]该各种部件分别随着使用而逐渐劣化并发生故障，因此需要更换为新的部件。
[0005]在此，在使用部件直到发生故障的情况下，故障时由基板处理装置处理的基板全部成为不良品，该基板以及故障时的生产时间有时会损失。另外，在故障前定期地更换的情况下，需要每隔未达到故障的期间、即具有足够富余的短期间进行更换，因此部件的更换频率变多，有时导致运用成本的增加。

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]本公开的目的在于提供一种能够检测部件的异常预兆的技术。
[0008]用于解决课题的手段
[0009]根据本公开的一个方式，提供一种执行包括多个步骤的工艺制程来处理基板的技术，该技术具有：振动数据取得工序，在执行所述工艺制程的同时，从振动传感器取得对处理所述基板的处理室的气氛进行排气的部件的振动数据；以及异常预兆检测工序，基于所取得的所述振动数据，在所述部件的旋转频率下的振动的大小与所述旋转频率的整数倍的对比旋转频率下的振动的大小之比超过预先设定的异常预兆阈值的情况下，检测为有异常预兆。
[0010]专利技术效果
[0011]根据本公开，提供一种能够检测部件的异常预兆的技术。
附图说明
[0012]图1是表示一实施方式的基板处理装置的概略结构的立体图。
[0013]图2是表示一实施方式的基板处理装置的处理炉的概略结构的纵剖视图。
[0014]图3是表示一实施方式的基板处理装置的主控制部的概略结构的框图。
[0015]图4是表示将一实施方式的基板处理装置用作半导体制造装置时的基板处理工序的流程图。
[0016]图5是表示一实施方式的基板处理装置的控制系统的框图。
[0017]图6是表示一实施方式的部件的异常预兆检测的判断顺序的说明图。
[0018]图7A是以时序示出一实施方式的部件的X轴上的成为异常预兆检测的指标的功率谱比的一例的图表。
[0019]图7B是以时序示出一实施方式的部件的Y轴上的成为异常预兆检测的指标的功率谱比的一例的图表。
[0020]图7C是以时序示出一实施方式的部件的Z轴上的成为异常预兆检测的指标的功率谱比的一例的图表。
[0021]图8是表示其他实施方式的基板处理装置的控制系统的一部分的框图。
[0022]图9是其他实施方式的基板处理装置的振动数据取得的时序图。
具体实施方式
[0023]以下，对本公开的一实施方式的半导体装置的制造方法、预兆检测程序以及基板处理装置进行说明。此外，在图1中，箭头F是指基板处理装置的正面方向，箭头B是指后面方向，箭头R是指右方，箭头L是指左方，箭头U是指上方，箭头D是指下方。以下，参照图1、图2对基板处理装置10的结构进行说明。在以下的说明中使用的附图均是示意性的，附图所示的各要素的尺寸的关系、各要素的比率等未必与现实一致。另外，在多个附图的相互之间，各要素的尺寸的关系、各要素的比率等也未必一致。
[0024]＜处理装置的整体结构＞
[0025]如图1所示，基板处理装置10具备由耐压容器构成的框体12。在框体12的正面壁开设有以能够维护的方式设置的开口部，在该开口部设置有一对正面门14作为对开口部进行开闭的进入机构。此外，在该基板处理装置10中，作为收纳有后述的硅等基板(晶圆)16(参照图2)的基板收纳容器的晶圆盒(基板收纳器)18被用作向框体12内外输送基板16的载体。
[0026]在框体12的正面壁上，以连通框体12内外的方式开设有晶圆盒搬入搬出口。在晶圆盒搬入搬出口设置有装载端口20。在装载端口20上载置晶圆盒18，并且进行晶圆盒18的对位。
[0027]在框体12内的大致中央部的上部设置有旋转式晶圆盒架22。构成为在旋转式晶圆盒架22上保管多个晶圆盒18。旋转式晶圆盒架22具备垂直竖立设置并在水平面内旋转的支柱和在上中下段的各位置呈放射状地支承于支柱的多张架板。
[0028]在框体12内的装载端口20与旋转式晶圆盒架22之间设置有晶圆盒搬送装置24。晶圆盒搬送装置24具有能够在保持晶圆盒18的状态下进行升降的晶圆盒升降机24A和晶圆盒搬送机构24B。通过该晶圆盒升降机24A与晶圆盒搬送机构24B的连续动作，在装载端口20、旋转式晶圆盒架22及后述的晶圆盒开启器26之间相互搬送晶圆盒18。
[0029]在框体12内的下部，从框体12内的大致中央部到后端设置有子框体28。在子框体28的正面壁分别设置有将基板16向子框体28内外搬送的一对晶圆盒开启器26。
[0030]各晶圆盒开启器26具备载置晶圆盒18的载置台和装卸晶圆盒18的盖的盖装卸机构30。晶圆盒开启器26构成为，通过盖装卸机构30对载置于载置台上的晶圆盒18的盖进行
装卸，由此对晶圆盒18的基板出入口进行开闭。
[0031]在子框体28内构成有与设置有晶圆盒搬送装置24、旋转式晶圆盒架22等的空间在流体上隔绝的移载室32。在移载室32的前侧区域设置有基板移载机构34。基板移载机构34由能够使基板16沿水平方向旋转或直线运动的基板移载装置34A和使基板移载装置34A升降的基板移载装置升降机34B构成。
[0032]基板移载装置升降机34B设置在子框体28的移载室32的前方区域右端部与框体12右侧的端部之间。另外，基板移载装置34A具备作为基板16的保持部的未图示的镊子。通过这些基板移载装置升降机34B以及基板移载装置34A的连续动作，能够将基板16相对于作为基板保持件的晶舟36进行装填(charging)以及取出(discharging)。
[0033]如图2所示，在子框体28(移载室32)内设置有使晶舟36升降的晶舟升降机38。在晶舟升降机38的升降台连结有臂40，在臂40上水平地安装有盖体(密封盖)42。盖体42构成为垂直地支承晶舟36，并能够封闭后述的处理炉44的下端部。
[0034]主要由图1所示的旋转式晶圆盒架22、晶圆盒搬送装置24、基板移载机构34、晶舟36、图2所示的晶舟升降机38及后述的旋转机构46构成搬送基板16的搬送机构。这些旋转式晶圆盒架22、晶舟升降机38、晶圆盒搬送装置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置的制造方法，执行包括多个步骤的工艺制程来处理基板，其特征在于，所述半导体装置的制造方法具有如下工序：振动数据取得工序，在执行所述工艺制程的同时，从振动传感器取得对处理所述基板的处理室的气氛进行排气的部件的振动数据；以及异常预兆检测工序，基于所取得的所述振动数据，在所述部件的旋转频率下的振动的大小与所述旋转频率的整数倍的对比频率下的振动的大小之比超过预先设定的异常预兆阈值的情况下，检测为有异常预兆。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，基于对所述振动数据进行快速傅立叶变换处理而得的结果来取得所述部件的旋转频率下的振动的大小以及所述旋转频率的整数倍的对比频率下的振动的大小。3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述快速傅立叶变换处理的采样时间是进行所述快速傅立叶变换处理的时序数据的整体时间。4.根据权利要求1
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3中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述对比频率是所述部件的旋转频率的2倍的二次旋转频率。5.根据权利要求1
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4中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述异常预兆检测工序中，在超过预先设定的次数地超过所述异常预兆阈值的情况下，检测为有异常预兆。6.根据权利要求1
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5中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述振动传感器是能够分别测量相互正交的X轴、Y轴、Z轴这3个轴方向的振动的加速度传感器。7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，构成为能够分别针对所述X轴、Y轴、Z轴这3个轴方向检测所述部件的异常预兆。8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，针对所述X轴、Y轴、Z轴的多个轴分别单独地设定所述异常预兆阈值。9.根据权利要求6
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8中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述Z轴配置在沿着铅垂轴的方向上，所述Y轴配置在沿着所述部件的转子的旋转轴的方向上。10.根据权利要求6
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9中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述异常预兆检测工序中，从检测异常预兆的数据中排除沿着所述部件的转子的旋转轴的方向的振动。11.根据权利要求6
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10中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述异常预兆检测工序中，在沿着多个轴的振动数据中检测到有异常预兆的情况下，发出警告。12.一种异常预兆检测方法，其特征在于，具有如下工序：从振动传感器取得对处理基板的处理室的气氛进行排气的部件的振动数据的工序；以及监视所述部件的振动来检测异常预兆的异常预兆检测工序，
在所述异常预兆检测工序中，基于所取得的所述振动数据，在所述部件的旋转频率下的振动的大小与所述旋转频率的整数倍的对比频率下的振动的大小之比超过预先设定的异常预兆阈值的情况下，检测为有异常预兆。13.一种异常预兆检测程序，由执行包括多个步骤的工艺制程来处理基板的基板处理装置执行，其特征在于，所述异常预兆检测程序使所述基板处理装置执行具有如下步骤的程序：在执行所述工艺制程的同时，从振动传感器取得对处理基板的处理室的气氛进行排气的部件的振动数据；以及基于所取得的所述振动数据，在所述部件的旋转频率下的振动的大小与所述旋转频率的整数倍的对比频率下的振动的大小之比超过预先设定的异常预兆阈值的情况下，判断为有异常预兆。14.一种基板处理装置，其执行包括多个步骤的工艺制程来处理基板，其特征在于，所述基板处理装置具...

【专利技术属性】
技术研发人员：馆祐太，川岸隆之，山本一良，锻治隆一，境正宪，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：