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本发明提供了一种外延生长方法及外延生长装置，属于半导体制造技术领域。外延生长方法，包括：将第一硅片送入外延反应腔室，放置在所述外延反应腔室中的基座上进行外延生长，得到外延硅片；对所述外延硅片边缘的多个预设测试点位进行应力测试，根据得到的应力...
该专利属于西安奕斯伟材料科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安奕斯伟材料科技股份有限公司授权不得商用。

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