【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造的，具体涉及了一种射频回路调整系统、一种半导体器件的工艺机台、一种射频回路调整方法，以及一种计算机可读存储介质。
技术介绍
1、在现有的双腔室的半导体器件的工艺机台中，例如等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition，pecvd)设备，每个反应腔都配置独立电源，即需要使用多个电源。而当pecvd设备中使用多个电源且没有相位同步时，每个电源的输出波形可能处于不同的相位，这会导致它们在不同时间点产生峰值电流和电压，进而产生相互干扰的电磁场。这种干扰会影响等离子体的稳定性，导致反应腔内薄膜沉积不均匀。而相位同步通过统一各电源的相位，使得每个电源在相同的时间点产生电压和电流峰值，从而能够减小相互干扰的可能性。
2、因此，为了解决工艺机台中两个腔室相互间的腔体串扰(crosstalk)现象，可以将两个电源调整相位同步。目前采用的电源相位同步方法是，在给两个反应腔内施加各自的射频电源信号的初始阶段，调节两个初始射频电源信号的相位以使其相位差为零，但是...
【技术保护点】
1.一种射频回路调整系统，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的射频回路调整系统，其特征在于，还包括：信号分离器，与所述第一射频发射器和所述第二射频发射器耦接，
3.如权利要求2所述的射频回路调整系统，其特征在于，所述在机台测试过程中，经由所述信号分离器，生成向所述第一反应腔内提供的第一射频电源信号，以及向所述第二反应腔内提供的第二射频电源信号的步骤包括：
4.如权利要求3所述的射频回路调整系统，其特征在于，所述基于所述第一射频电流值和所述第二射频电流值，获得所述第一射频电流和所述第二射频电流的射频电流比例的步骤包括：
<...【技术特征摘要】
1.一种射频回路调整系统，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的射频回路调整系统，其特征在于，还包括：信号分离器，与所述第一射频发射器和所述第二射频发射器耦接，
3.如权利要求2所述的射频回路调整系统，其特征在于，所述在机台测试过程中，经由所述信号分离器，生成向所述第一反应腔内提供的第一射频电源信号，以及向所述第二反应腔内提供的第二射频电源信号的步骤包括：
4.如权利要求3所述的射频回路调整系统，其特征在于，所述基于所述第一射频电流值和所述第二射频电流值，获得所述第一射频电流和所述第二射频电流的射频电流比例的步骤包括：
5.如权利要求3所述的射频回路调整系统，其特征在于，所述第一射频发射器和所述第二射频发射器分别连接各自反应腔内的加热盘，通过调整第一加热盘上的第一射频电流和第二加热盘上的第二射频电流，调节所述第一加热盘上的薄膜沉积速率和所述第二加热盘上的薄膜沉积速率。
6.如权利要求3所述的射频回路调整系统，其特征在于，所述信号分离器到所述第一射频发射器的cex馈入点的射...
【专利技术属性】
技术研发人员：王佳航，张赛谦，郭东，冯家玉，
申请(专利权)人：拓荆创益沈阳半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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