高温炉控温硅片及延长高温炉控温硅片使用寿命的方法技术

本发明专利技术涉及一种高温炉控温硅片及延长高温炉控温硅片使用寿命的方法，属于半导体芯片制造技术领域，高温炉控温硅片，在衬底层上设置有氧化层，由于氧化层的热膨胀系数小于未经氧化的衬底层的热膨胀系数，在相同的温度条件下，氧化层的形变量小于衬底层的形变量，从而通过氧化层对高温炉控温硅片整体起到了与形变方向相反的作用力，进而起到了延缓高温炉控温硅片上发生的形变的作用。本发明专利技术的延长高温炉控温硅片使用寿命的方法，在保证正常使用高温炉控温硅片的前提下，通过定期旋转的方式改变了高温炉控温硅片上的受力点和受力方向，从而延缓了高温炉控温硅片上发生的形变，延长了高温炉控温硅片的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体芯片制造，具体涉及一种高温炉控温硅片及延长高温炉控温硅片使用寿命的方法。

技术介绍

1、由于立式高温扩散炉工作原理为炉口进气炉尾排气，受到炉管中气流正面冲击的wafer(晶圆)表面生长的氧化层均匀性往往比较差，远不能达到产品需求，为保证氧化层均匀性需要使用假片来将晶圆挡在假片中间，故假片也称控温硅片。

2、放在炉口和炉尾的控温硅片由于在1050℃以上的环境下使用，在高温环境中控温硅片的质地会变软，控温硅片无支撑点的地方在自身重力影响下向下发生形变，如果形变过大则会导致机械臂无法抓取、晶圆撞击晶舟或控温硅片剐蹭产品等意外事故的发生。为降低风险，需要定期更换控温硅片，增加了生产成本，也降低了生产效率。因此，需要延长用于高温扩散炉的控温硅片的使用寿命。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种高温炉控温硅片及延长高温炉控温硅片使用寿命的方法。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

2、本专利技术提供了一种高温炉控温硅片，高温炉控温本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高温炉控温硅片，其特征在于，高温炉控温硅片可调节设置于晶舟上，所述高温炉控温硅片包括：依次设置的衬底层和氧化层，其中，所述氧化层的热膨胀系数小于所述衬底层的热膨胀系数；所述氧化层的厚度不小于所述衬底层的厚度的1％。

2.根据权利要求1所述的高温炉控温硅片，其特征在于，所述氧化层至少覆盖所述高温炉控温硅片的一侧表面，用于减弱所述高温炉控温硅片在高温扩散工艺过程中发生的热应力形变。

3.根据权利要求1所述的高温炉控温硅片，其特征在于，所述衬底层的材料为硅，所述衬底层的厚度为725μm；所述氧化层的材料为氧化硅，所述氧化层的厚度为7μm。p>

4.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种高温炉控温硅片，其特征在于，高温炉控温硅片可调节设置于晶舟上，所述高温炉控温硅片包括：依次设置的衬底层和氧化层，其中，所述氧化层的热膨胀系数小于所述衬底层的热膨胀系数；所述氧化层的厚度不小于所述衬底层的厚度的1％。

2.根据权利要求1所述的高温炉控温硅片，其特征在于，所述氧化层至少覆盖所述高温炉控温硅片的一侧表面，用于减弱所述高温炉控温硅片在高温扩散工艺过程中发生的热应力形变。

3.根据权利要求1所述的高温炉控温硅片，其特征在于，所述衬底层的材料为硅，所述衬底层的厚度为725μm；所述氧化层的材料为氧化硅，所述氧化层的厚度为7μm。

4.根据权利要求1所述的高温炉控温硅片，其特征在于，所述高温炉控温硅片沿周向均匀设置若干个支撑位点，并通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：同小锦，吴朝科，王鑫，姚明明，
申请(专利权)人：西安龙威半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：