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本发明涉及一种高温炉控温硅片及延长高温炉控温硅片使用寿命的方法，属于半导体芯片制造技术领域，高温炉控温硅片，在衬底层上设置有氧化层，由于氧化层的热膨胀系数小于未经氧化的衬底层的热膨胀系数，在相同的温度条件下，氧化层的形变量小于衬底层的形变量...
该专利属于西安龙威半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安龙威半导体有限公司授权不得商用。

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