【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种晶圆电性测试方法、存储介质及终端。
技术介绍
1、晶圆生产制造的精确控制和评估贯穿着晶圆整个工艺制造，验证一个晶圆是否符合产品规格，除了在工艺过程中的每一步关键尺寸量测和沉积薄膜的厚度外，还需要进行晶圆电性测试(wafer acceptance test，wat)以检测关键器件性能是否达标。
2、晶圆电性测试通过测试晶圆上特定测试结构的电性参数，检测每片晶圆产品的工艺情况，评估半导体制造过程的质量和稳定性，判断晶圆产品是否符合该工艺技术平台的电性规格要求。晶圆电性测试的数据可以作为晶圆产品交货的质量凭证，另外晶圆电性测试的数据还可以反映生产线的实际生产情况，通过收集和分析晶圆电性测试的数据可以监测生产线的情况，也可以判断生产线变化的趋势，对可能发生的情况进行预警。
3、随着工艺技术的先进发展，产品的数目和需要验证的器件也在逐渐递增，为了可以高效使器件性能达标，提高电性测试的效率成为一个首要解决的问题。
4、然而，现有技术中的晶圆电性测试过程仍存在诸多问题。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆电性测试方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的晶圆电性测试方法，其特征在于，获取所述标准扎针图像的方法包括：对测试键进行手动扎针；基于扫描电镜获取手动扎针测试键的扎针图像，并作为所述标准扎针图像。
3.如权利要求1所述的晶圆电性测试方法，其特征在于，基于所述标准扎针图像判断所述待检测扎针图像是否符合预期的方法包括：提取所述标准扎针图像的标准扎针特征；基于所述标准扎针特征设定扎针特征阈值范围；提取所述待检测扎针图形的待检测扎针特征；将所述待检测扎针特征与所述扎针特征阈值范围进行对比，判断所述待检测扎针特征是否位于所述扎针特征阈值范围内。
4.如权利要求3所述的晶圆电性测试方法，其特征在于，基于所述标准扎针特征设定扎针特征阈值范围的方法包括：将所述标准扎针特征的预设百分比范围作为所述扎针特征阈值范围。
5.如权利要求4所述的晶圆电性测试方法，其特征在于，所述预设百分比范围为：80％～100％。
6.如权利要求3所述的晶圆电性测试方法，其特征在于，所述标准扎针特征包括：所述标准扎针图像中扎针区域的面积；所述待检测扎针特征包括：所述待检测扎针图像中扎针区域的面积。
7.如权利要求3所述的晶圆电性测试...
【专利技术属性】
技术研发人员：王泽楠，汪海，
申请(专利权)人：浙江创芯集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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