【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体器件开盖，涉及一种半导体器件去塑封和剥离金属底座的方法。
技术介绍
1、器件开盖对于了解器件内部结构和原理具有重要意义，通过开盖可以及时发现和排除器件内部可能存在的故障源；通过观察和分析器件内部结构，可以帮助优化器件的设计和制造工艺。
2、目前，器件开盖工艺可以分为四大类：化学腐蚀开封法，机械开封法，激光开封法，等离子体开封法。机械开封法虽然方法简单，便于操作，但对器件造成破坏的可能性较大，且塑封材料会在芯片有较多的残留，不利于器件的分析。激光开封法和等离子体开封法对器件破坏较小且无塑封材料的残留，但有可能破坏芯片表面细微结构，且需要相应的仪器配置，成本较高且开封时间长，不具有广泛适用应性。化学腐蚀开封法则可以在不破坏器件的条件下具有较好的去塑封效果。通用的化学开封法需要在加热至少在160℃高温的条件下，单个样品开封使用至少使用10ml的浓硫酸和发烟硝酸混酸，开封时间因表面塑封料较多一般持续加热时间较长，操作危险性较大。且在开封后，若器件表面有金属层，则无法去除器件的金属底座，对于需要针对器件底部的观察分
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1.一种半导体器件去塑封和剥离金属底座的方法，其特征在于：首先机械打磨去除非芯片区域及背部基座铜，然后在金属底座背部，使用王水分离器件底座，最后将脱去底座的器件放入浓硫酸与浓硝酸的混合液中加热反应，反应后冲洗干净即可。
2.根据权利要求1所述的一种半导体器件去塑封和剥离金属底座的方法，其特征在于，具体步骤如下：
3.根据权利要求2所述的一种半导体器件去塑封和剥离金属底座的方法，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的一种半导体器件去塑封和剥离金属底座的方法，其特征在于：第三步中，所述混合液中，浓硫酸与发烟硝酸的体积比为1:1。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件去塑封和剥离金属底座的方法，其特征在于：首先机械打磨去除非芯片区域及背部基座铜，然后在金属底座背部，使用王水分离器件底座，最后将脱去底座的器件放入浓硫酸与浓硝酸的混合液中加热反应，反应后冲洗干净即可。
2.根据权利要求1所述的一种半导体器件去塑封和剥离金...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯巍，李嘉锐，
申请(专利权)人：西安龙威半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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