半导体存储器装置制造方法及图纸

本文可以提供半导体存储器装置。半导体存储器装置包括：层叠体，该层叠体包括层间绝缘层和设置在层间绝缘层之间的选择线；芯绝缘层，该芯绝缘层穿透层叠体；半导体图案，该半导体图案沿着芯绝缘层的侧壁延伸并且包括设置在选择线和芯绝缘层之间的未掺杂区域；掺杂半导体图案，该掺杂半导体图案设置在半导体图案和层间绝缘层之间；以及栅极绝缘层，该栅极绝缘层设置在半导体图案和选择线之间。

【技术实现步骤摘要】

本公开的各种实施方式涉及半导体存储器装置以及制造该半导体存储器装置的方法，并且更具体地涉及三维(3d)半导体存储器装置以及制造该3d半导体存储器装置的方法。

技术介绍

1、半导体存储器装置包括能够存储数据的存储器单元。三维(3d)半导体存储器装置包括以三维布置的存储器单元，因此减小了每单位基板面积的存储器单元所占据的面积。

2、为了提高3d半导体存储器装置的集成度，可以增加存储器单元的层叠数量。随着存储器单元的层叠数量增加，3d半导体存储器装置的操作可靠性可能会劣化。

技术实现思路

1、本公开的实施方式可以提供一种半导体存储器装置。半导体存储器装置可以包括：层叠体，该层叠体包括层间绝缘层和设置在层间绝缘层之间的选择线；芯绝缘层，该芯绝缘层穿透层叠体；半导体图案，该半导体图案沿着芯绝缘层的侧壁延伸并且包括设置在选择线和芯绝缘层之间的未掺杂区域；掺杂半导体图案，掺杂半导体图案设置在半导体图案和层间绝缘层之间；以及栅极绝缘层，该栅极绝缘层设置在半导体图案和选择线之间。

2、本公开的实施方式可本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述掺杂半导体图案与所述栅极绝缘层接触。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述半导体图案还包括由所述掺杂半导体图案围绕的掺杂区域。

【技术特征摘要】

1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述掺杂半导体图案与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李南宰，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：