【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体芯片，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法、存储系统。
技术介绍
1、动态随机存储器(dynamic random access memory，简称dram)由多个存储单元构成，每个存储单元由一个晶体管所操控的存储电容构成，即，dram是1个晶体管1个存储电容器(1t1c)的存储单元。
2、随着存储阵列集成度的提高，晶体管之间的距离越来越近，如何降低晶体管之间产生的电磁干扰是目前需要解决的问题。
技术实现思路
1、本公开的实施例提供一种半导体结构及其制备方法、存储系统，旨在解决如何降低晶体管之间产生的电磁干扰的问题。
2、为达到上述目的，本公开的实施例采用如下技术方案：
3、一方面，提供一种半导体结构。所述半导体结构包括多个有源柱、栅极结构和隔离结构。所述多个有源柱沿第一方向和第二方向阵列排布，所述第一方向和所述第二方向相交。所述栅极结构沿所述第一方向延伸，且位于相邻的两行有源柱之间。所述隔离结构沿所述第一方向延伸，且位于相邻的两行有源柱之
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【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介质层包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第二部分的厚度大于或等于所述第一部分的厚度。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离结构还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离结构还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一隔离层和所述第一介质层的材料相同。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介质层...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介质层包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第二部分的厚度大于或等于所述第一部分的厚度。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离结构还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离结构还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一隔离层和所述第一介质层的材料相同。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介质层的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和氧化铝中的至少一者。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括：
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘结构包括：
10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构还包括第二隔离层，所述第二隔离层位于所述栅介质层和所述有源柱之间，以及所述第二绝缘部和所述有源柱之间。
11.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述屏蔽层在参考面上的正投影，与相邻的栅极层在所述参考面上的正投影至少部分重合；所述参考面与所述第二方向垂直。
12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述屏蔽层在参考面上...
【专利技术属性】
技术研发人员：庆鑫宇，汪亚，罗佳明，姚森，张帜，刘藩东，陈赫，许明亮，华文宇，唐兆云，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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