【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及压电性(以及热电性)较强且稳定的高分子压电体膜的稳 定的制造方法以及所形成的高分子压电体膜。
技术介绍
作为以较强的压电性(如公知的那样，通常同时也呈现热电性)所代表的高性能压电性膜的代表性制法，公知以下方法延伸聚偏氟乙烯 (polyvinylidene fluoride)类树脂等结晶性高分子片(在本说明书中，术 语"片"和"膜"是着眼于两者的相对厚度，前者用作指延伸前的状态， 后者用作指延伸后的状态，不管它们的边界厚度(业界常常习惯将两者分 界取为厚度250um)而进行使用)的同时，将隔着该片对置的一对电极中 的至少一方取为针状电极，通过电晕放电对其进行极化处理(专利文献1 和2)。在上述专利文献1和2中，主要对隔着结晶性极性高分子片对置 的一对电极的双方使用针状电极，但也有对一方使用辊电极的例子(专利 文献2的例2)。但是，在上述方法中实际情况是，在得到的高分子压电 体膜的面方向的厚度以M电系数的分布中发现不均匀，制造条件的稳定 化也不能称之为充分，不能得到大面积上稳定的压电性能的高分子压电体 膜。专利文献1:日本特开昭55 - 157801号...
【技术保护点】
一种高分子压电体膜的制造方法，其特征在于，在使结晶性极性高分子片与直径为３０ｍｍ以上的导电性延伸辊接触的同时对其进行输送且延伸的过程中，在与该高分子片对置的电极、和所述导电性延伸辊之间施加极化电压，对所述结晶性极性高分子片进行极化处理，其中，所述导电性延伸辊是将表面摩擦系数降低至可在与该结晶性极性高分子片的接触下相对移动的程度的辊。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：森山信宏，中村谦一，铃木和元，铃木启太郎，
申请(专利权)人：株式会社吴羽，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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