一种LDMOS器件的制备方法、LDMOS器件技术

本发明专利技术涉及一种LDMOS器件的制备方法、LDMOS器件，涉及半导体技术领域，在该制备方法中，对自对准多晶硅材料层采用第一刻蚀机台，对遮蔽材料层采用第二刻蚀机台，针对不同的材料采用专用的刻蚀机台，可以提高刻蚀的精准度，从而避免了刻蚀时需要刻蚀的材料刻蚀不干净或者由于过刻导致的材料损失，提高了产品的良率。此外形成的LDMOS器件由于覆盖遮蔽层的金属硅化物作为了LDMOS器件栅极的补充栅极，增加了导电沟道的长度，使得该LDMOS器件具有了更好的耐高压性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，特别是涉及一种ldmos器件的制备方法、ldmos器件。

技术介绍

1、现有的功率管理集成电路（power management ic，简称pmic）系列产品中，ldmos器件以其高增益、高击穿电压和良好的热稳定性，被广泛应用。

2、在制备ldmos器件时，蚀刻过程中为了确保将所有需要去除的材料彻底清除干净，会进行过刻蚀。如果过刻蚀量不足，会造成金属硅化物区域宽度太小；如果过刻量太多，则会导致栅极结构的侧墙和侧墙氧化层损失严重，部分区域的硅损失严重。显然过刻蚀的量太多或太少都会导致制备的器件出现不可预期的偏差，降低良率。

3、基于此，如何实现刻蚀时需要刻蚀的材料刻蚀干净且不会出现结构损失成为了本领域技术人员亟需解决的技术问题。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对过刻蚀的量太多或太少导致器件出现不可预期的偏差的问题提供一种ldmos器件的制备方法、ldmos器件。

2、为了实现上述目的，一方面，本专利技术提供了一种ldmos器件的制备方法，包括：

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【技术保护点】

1.一种LDMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述基于所述图形化光刻胶，采用第一刻蚀机台至少对所述自对准多晶硅材料层进行刻蚀，形成自对准多晶硅层的步骤，包括：

3.根据权利要求2所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述预设厚度为所述遮蔽材料层厚度的1/4至1/2。

4.根据权利要求1所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述基于所述图形化光刻胶，采用第一刻蚀机台至少对所述自对准多晶硅材料层进行刻蚀，形成自对准多晶硅层的步骤，包括：

5.根据权利要求4所述的L...

【技术特征摘要】

1.一种ldmos器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的ldmos器件的制备方法，其特征在于，所述基于所述图形化光刻胶，采用第一刻蚀机台至少对所述自对准多晶硅材料层进行刻蚀，形成自对准多晶硅层的步骤，包括：

3.根据权利要求2所述的ldmos器件的制备方法，其特征在于，所述预设厚度为所述遮蔽材料层厚度的1/4至1/2。

4.根据权利要求1所述的ldmos器件的制备方法，其特征在于，所述基于所述图形化光刻胶，采用第一刻蚀机台至少对所述自对准多晶硅材料层进行刻蚀，形成自对准多晶硅层的步骤，包括：

5.根据权利要求4所述的ldmos器件的制备方法，其特征在于，所述第二刻蚀机台包括第一子刻蚀机台与第二子刻蚀机台；所述以所述自对准多晶硅层为掩膜层，或以所述自对准多晶硅层与剩余的所述图形化光刻胶为掩膜层，采用第二刻蚀机台，对所述遮蔽材料层进行刻蚀，形成遮蔽层的步骤，包括：

6.根据权利要求5所述的ldmos器件的制备方法，其特征在于，在所述第一开口内，所述第二遮蔽部与所述第一遮蔽部之间暴露出部分所述栅极结构的表面与侧壁。

7.根据权利要求5所述的ldmos器件的...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋富冉，周儒领，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：