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本发明涉及一种LDMOS器件的制备方法、LDMOS器件，涉及半导体技术领域，在该制备方法中，对自对准多晶硅材料层采用第一刻蚀机台，对遮蔽材料层采用第二刻蚀机台，针对不同的材料采用专用的刻蚀机台，可以提高刻蚀的精准度，从而避免了刻蚀时需要刻蚀...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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