【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光伏，涉及一种异质结电池及其制备方法与应用。
技术介绍
1、随着目前对可再生能源的需求不断增加，太阳能光伏电池成为了一种重要的能源选择。太阳能光伏电池中，相对其他晶硅电池，异质结电池由于具有高开路电压、简单的制备工艺、良好的光照稳定性、低温度系数及高转化效率的特点而受到广泛的关注。
2、但是，当异质结电池制备成组件时，需要经过胶膜层压，一般组件层压工艺温度条件在110-150℃之间，层压总时间在10-20min。高的温度和长的层压时间将导致异质结电池效率下降，这是由于热导致微晶掺杂层中h扩散，促使微晶层中有效掺杂结构的改变。与此同时，电池效率下降最终将导致组件功率的降低。
3、基于以上研究，需要提供一种异质结电池的制备方法，所述制备方法能够使异质结电池抵抗热衰减并保证组件功率。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种异质结电池及其制备方法与应用，所述制备方法通过低温沉积p型掺杂微晶硅层，避免异质结电池经过层压后效率下降，组件功率降低的问题，从而...
【技术保护点】
1.一种异质结电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种异质结电池的制备方法，其特征在于，所述沉积P型掺杂微晶硅层的沉积温度<160℃，且≥140℃。
3.根据权利要求1或2所述的一种异质结电池的制备方法，其特征在于，在沉积所述P型掺杂微晶硅层之前，先在所述第一本征非晶层的表面和基体的侧面沉积第三本征层，所述第三本征层在基体的侧面位于所述P型掺杂微晶硅层与所述N型掺杂微晶硅层之间。
4.根据权利要求1或2所述的一种异质结电池的制备方法，其特征在于，所述沉积P型掺杂微晶硅层的掺杂剂流量与...
【技术特征摘要】
1.一种异质结电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种异质结电池的制备方法，其特征在于，所述沉积p型掺杂微晶硅层的沉积温度<160℃，且≥140℃。
3.根据权利要求1或2所述的一种异质结电池的制备方法，其特征在于，在沉积所述p型掺杂微晶硅层之前，先在所述第一本征非晶层的表面和基体的侧面沉积第三本征层，所述第三本征层在基体的侧面位于所述p型掺杂微晶硅层与所述n型掺杂微晶硅层之间。
4.根据权利要求1或2所述的一种异质结电池的制备方法，其特征在于，所述沉积p型掺杂微晶硅层的掺杂剂流量与硅烷流量之比为0.4%~1.6%；
5.根据权利要求1或2所述的一种异质结电池的制备方法，其特征在于，所述沉积p型掺杂微晶硅层的方法包括pecvd；
6.根据权利要求3所述的一种异质结电池的制备方法，其特征在于，所述沉积第一本征非晶层的方法包括pecvd，沉积温度为18...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡佳军，李硕，王俊，
申请(专利权)人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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