异质结电池制造技术

本发明专利技术公开了一种异质结电池，所述异质结电池包括硅衬底及层叠于所述硅衬底至少一侧表面上本征叠层，所述本征叠层包括与所述硅衬底一侧表面相接触的第一本征层及与所述第一本征层相接触的第二本征层，所述第二本征层中拉伸模式成键氢的氢原子含量小于所述第一本征层中拉伸模式成键氢的氢原子含量，且所述第二本征层中拉伸模式成键氢的氢原子含量为12％～17％。本发明专利技术通过优化次邻近硅衬底的第二本征层中拉伸模式成键氢的氢原子含量，可以显著降低紫外线诱导衰减风险。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能电池，具体涉及一种异质结电池。

技术介绍

1、异质结(hjt)电池由于其高效率、工艺流程少、双面率高、温度系数低、抗pid、无光衰风险、降本空间大等优势，有望在未来几年成为光伏市场的主流产品。

2、然而，异质结电池对于紫外线的敏感性一直是产业界担忧的重点，究其原因，是作为界面钝化层的非晶硅层极易受到高能光子的影响发生硅氢键(包括si-h键和si-h2键)的断裂，在界面附近产生大量复合缺陷位点，发生紫外线诱导衰减(uvid)现象，从而降低异质结电池的性能，缩短异质结电池组件的户外寿命并降低发电量。

3、为了提升异质结电池组件抵御紫外线的能力，目前主流方案是在异质结电池组件上应用紫外转光胶膜或者紫外截止胶膜。然而，特殊胶膜的引入在目前仍未彻底解决uvid风险，同时增加了成本，并且存在胶膜老化和转光剂长期失效的问题。

4、因此，针对上述技术问题，有必要提供一种异质结电池。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种异质结电池，通过控制本征层中拉伸模式成键氢本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种异质结电池，其特征在于，所述异质结电池包括硅衬底及层叠于所述硅衬底至少一侧表面上本征叠层，所述本征叠层包括与所述硅衬底一侧表面相接触的第一本征层及与所述第一本征层相接触的第二本征层，所述第二本征层中拉伸模式成键氢的氢原子含量小于所述第一本征层中拉伸模式成键氢的氢原子含量，且所述第二本征层中拉伸模式成键氢的氢原子含量为12％～17％。

2.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，所述第二本征层为未掺杂氧元素的本征层，所述第二本征层中拉伸模式成键氢的氢原子含量为12.2％～15.2％。

3.根据权利要求2所述的异质结电池，其特征在于，所述第二本征层中，傅里...

【技术特征摘要】

1.一种异质结电池，其特征在于，所述异质结电池包括硅衬底及层叠于所述硅衬底至少一侧表面上本征叠层，所述本征叠层包括与所述硅衬底一侧表面相接触的第一本征层及与所述第一本征层相接触的第二本征层，所述第二本征层中拉伸模式成键氢的氢原子含量小于所述第一本征层中拉伸模式成键氢的氢原子含量，且所述第二本征层中拉伸模式成键氢的氢原子含量为12％～17％。

2.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，所述第二本征层为未掺杂氧元素的本征层，所述第二本征层中拉伸模式成键氢的氢原子含量为12.2％～15.2％。

3.根据权利要求2所述的异质结电池，其特征在于，所述第二本征层中，傅里叶红外光谱中峰值位于2000cm-1处的拉伸模式si-h键中氢原子含量为9.5％～10.2％，傅里叶红外光谱中峰值位于2100cm-1处的拉伸模式si-h2键中的氢原子含量为2.7％～5％。

4.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，所述第二本征层为掺杂氧元素的本征层，所述第二本征层中拉伸模式成键氢的氢原子含量为12％～17％。

5.根据权利要求4所述的异质结电池，其特征在于，所述第二本征层中，傅里叶红外光谱中峰值位于2000cm-1处的拉伸模式si-h键中氢原子含量为6.8％～8.5％，傅里叶红外光谱中峰值位于2100cm-1处的拉伸模式si-h2键中的氢原子含量为5.2％～8.6％。

6.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，所述第一本征层为掺杂氧元素的本征层，所述第一本征层中拉伸模式成键氢的氢原子含量为19％～30％。

7.根据权利要求6所述的异质结电池，其特征在于，所述第一本征层中，傅里叶红外光谱中峰值位...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩建富，李硕，张达奇，
申请(专利权)人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：