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本发明公开了一种异质结电池，所述异质结电池包括硅衬底及层叠于所述硅衬底至少一侧表面上本征叠层，所述本征叠层包括与所述硅衬底一侧表面相接触的第一本征层及与所述第一本征层相接触的第二本征层，所述第二本征层中拉伸模式成键氢的氢原子含量小于所述第一...
该专利属于嘉兴阿特斯技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过嘉兴阿特斯技术研究院有限公司授权不得商用。

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