【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体领域中晶圆表面蚀刻的装置，具体来说，涉及一种提高晶圆表面蚀刻均匀性的装置。
技术介绍
1、在半导体晶圆生产中，干法蚀刻机台属于核心工艺角色，其主要功能是在晶圆经涂胶、光刻、显影后，对晶圆进行干法蚀刻，让晶圆表面形成工艺所需图案。干法蚀刻采用等离子体方式去对材料蚀刻。
2、在半导体领域中，现有的干法蚀刻机台电压源设计，可以达到让等离子与晶圆表面材料进行快速化学和物理反应，但是受到气体流动影响，晶圆蚀刻后，其中心位置要比边缘位置蚀刻的多，导致中心位置偏薄，边缘位置偏厚，影响其蚀刻均匀性。通常解决方案是调节上部金属线圈的电流来优化蚀刻均匀性，但优化程度有限。
技术实现思路
1、本技术提供一种提高晶圆表面蚀刻均匀性的装置，可以提高晶圆表面蚀刻均匀性。
2、为解决上述技术问题，本技术采用以下技术方案：
3、一种提高晶圆表面蚀刻均匀性的装置，所述装置包括：呈真空密封状的腔体、上部射频发生器、下部射频发生器、侧部射频发生器、侧部金属导电线圈、上部金属导...
【技术保护点】
1.一种提高晶圆表面蚀刻均匀性的装置，其特征在于，所述装置包括：呈真空密封状的腔体（1）、上部射频发生器（2）、下部射频发生器（3）、侧部射频发生器（4）、侧部金属导电线圈（5）、上部金属导电线圈（6）和承载台（7），其中，
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述承载台（7）用于盛放晶圆（8）。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述侧部金属导电线圈（5）和晶圆（8）位于同一水平面上，或者侧部金属导电线圈（5）位于晶圆（8）上方。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述侧部金属导电线圈（5）为一圈或者两圈。<...
【技术特征摘要】
1.一种提高晶圆表面蚀刻均匀性的装置，其特征在于，所述装置包括：呈真空密封状的腔体（1）、上部射频发生器（2）、下部射频发生器（3）、侧部射频发生器（4）、侧部金属导电线圈（5）、上部金属导电线圈（6）和承载台（7），其中，
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述承载台（7）用于盛放晶圆（8）。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述侧部金属导电线圈（5）和晶圆（8）位于同一水平面上，或者侧部金属导电线圈（5）位于晶圆（8）上方。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述侧部金属导电线圈（5）为一圈或者两圈。
5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述上部金属导电线圈（6）呈螺旋式分布，且位于同一水平面上；所述上部金属导...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈刚，
申请(专利权)人：南京云极芯半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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