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本技术属于半导体领域中晶圆的蚀刻装置，公开了一种提高晶圆表面蚀刻均匀性的装置，可以提高晶圆表面蚀刻均匀性。该装置包括：呈真空密封状的腔体、上部射频发生器、下部射频发生器、侧部射频发生器、侧部金属导电线圈、上部金属导电线圈和承载台，承载台位于...
该专利属于南京云极芯半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京云极芯半导体科技有限公司授权不得商用。

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