【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体，具体涉及一种新型半导体测试探针制造工艺。
技术介绍
1、探针卡是一种用于电子测试和分析的关键器件，它由多个探针组成,通过接触待测电路或器件的接触点,可对其电性能进行测试和分析。探针卡广泛应用于集成电路、pcb电路、新型电子器件等领域的研发和制造过程中。
2、mems探针卡是利用微机电系统（mems）技术制造的一种新型探针卡，它主要具有以下特点：（1）超高探针密度，mems探针利用微加工技术，可在一张探针卡内集成超过100k个针，满足电子器件的测试需求；（2）优异的接触性能，mems探针针尖形状精细，尖端直径可小至几微米，在微小的接触面积内，mems探针能提供稳定、可靠的接触力和电接触，大幅提高测试精度；（3）集成化制造，整个mems探针阵列可以采用批量微加工制造，提高了探针阵列的一致性和可靠性；（4）微小尺寸。
3、目前mems探针制作方法的具体流程为：先对硅基板镀一层氧化物后清洗，再进行涂胶、光刻、显影获得图案后，对硅基板进行干法蚀刻后清洗获得槽体形貌，然后再通过湿法蚀刻对其针头角度优化，...
【技术保护点】
1.一种新型半导体测试探针制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的新型半导体测试探针制造工艺，其特征在于，所述步骤9中，对硅氧化物层（4）进行干法蚀刻，从而去除硅氧化物层（4）。
3.根据权利要求1所述的新型半导体测试探针制造工艺，其特征在于，所述步骤11中，根据预设针头角度，采用干法蚀刻沟槽工艺对探针针角蚀刻位（61）下方的金属层进行部分蚀刻，形成探针针头（72）。
4.根据权利要求1所述的新型半导体测试探针制造工艺，其特征在于，所述步骤4中，利用化学气相镀膜设备在硅基板（1）和金属层（3）上生长出硅氧化物层
【技术特征摘要】
1.一种新型半导体测试探针制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的新型半导体测试探针制造工艺，其特征在于，所述步骤9中，对硅氧化物层（4）进行干法蚀刻，从而去除硅氧化物层（4）。
3.根据权利要求1所述的新型半导体测试探针制造工艺，其特征在于，所述步骤11中，根据预设针头角度，采用干法蚀刻沟槽工艺对探针针角蚀刻位（61）下方的金属层进行部分蚀刻，形成探针针头（72）。
4.根据权利要求1所述的新型半导体测试探针制造工艺，其特征在于，所述步骤4中，利用化学气相镀膜设备在硅基板（1）和金属层（3）上生长出硅氧化物层（4）。
5.根据权利要求1所述的新型半导体测试探针制造工艺，其特征在于，所述步骤6、步骤7和步骤11中，利用干法蚀刻机进行干法蚀刻。
6.根据权利要求1所述的新型半导体测试探...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈刚，贺雪峰，
申请(专利权)人：南京云极芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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