【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路，尤其涉及一种集成接口电路的微流量传感器及其无光刻制造方法。
技术介绍
1、流量传感器广泛应用于环境监测、医疗诊断、工业控制、航天探测等关系国计民生的重要领域。随着智能建筑、智慧城市、精准医疗等新兴领域的迅猛发展，用于流量监测的传感器性能要求日益提高。例如，在智能建筑中，为实现节能型的个性化通风与热舒适度控制，流量传感器需精准探测-2m/s至2m/s的室内低速流，并实现0.05m/s以下的极低流速测量。在智慧城市中，供气和供暖系统的采集、运输和分配过程中需要数百万个流量传感器，这就要求传感器不仅具备高精度，还需要低成本以满足大规模节点部署的需求。在精准医疗领域，呼吸机作为关键设备，需配有高性能的核心流量传感器部件来协助临床诊疗决策，如低流量吸氧、微流量麻醉等。此外，人体正常呼吸鼻下最大气流速度约为4m/s，相连呼吸管道内传感器需探测4m/s甚至0.1m/s以下的极低气体流速以辨识呼吸不足或呼吸暂停等高危情况。鉴于此，研制低成本、高灵敏度、以及满足极低气体流速测量的传感器，成为智能建筑、智慧城市、精准医疗等物联网相关...
【技术保护点】
1.一种无光刻制造方法，其特征在于，所述制造方法用于制造集成CMOS接口电路的微流量传感器，所述制造方法包括：
2.根据权利要求1所述的无光刻制造方法，其特征在于，所述利用湿法刻蚀将微带线组件所处金属层周边的金属牺牲层完全刻蚀干净，形成悬浮MEMS结构，并于腔体底部暴露硅基之后，还包括：
3.根据权利要求1或2所述的无光刻制造方法，其特征在于，所述利用湿法刻蚀将微带线组件所处金属层下方的金属牺牲层完全刻蚀干净，包括：
4.根据权利要求1或2所述的无光刻制造方法，其特征在于，所述采用反应性离子刻蚀以暴露所述初始传感器芯片中位于所述微带...
【技术特征摘要】
1.一种无光刻制造方法，其特征在于，所述制造方法用于制造集成cmos接口电路的微流量传感器，所述制造方法包括：
2.根据权利要求1所述的无光刻制造方法，其特征在于，所述利用湿法刻蚀将微带线组件所处金属层周边的金属牺牲层完全刻蚀干净，形成悬浮mems结构，并于腔体底部暴露硅基之后，还包括：
3.根据权利要求1或2所述的无光刻制造方法，其特征在于，所述利用湿法刻蚀将微带线组件所处金属层下方的金属牺牲层完全刻蚀干净，包括：
4.根据权利要求1或2所述的无光刻制造方法，其特征在于，所述采用反应性离子刻蚀以暴露所述初始传感器芯片中位于所述微带线组件一侧的顶层平板电极，包括：
5.一种集成cmos接口电路的微流量传感器，其特征在于，所述微流量传感器应用如权利要求1-4任一项所述的无光刻制造方法制造得到；所述流量传感器包括设置于基片上的微带线组件及接口电路，所述接口电路包括控制电路、时钟脉冲电路及读取电路；
6.根据权利要求5所述的集成cmos接口电路的微流量传感器，其特征在于，所述读取电路还包括纹波抑制...
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