【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、半导体制造工艺涉及在低k电介质材料上沉积含硅材料，包括硅氮化物材料。在形成高质量硅氮化物时，在沉积硅氮化物期间降低对低k电介质的损坏具有挑战性。
2、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分中描述的范围内以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
技术实现思路
1、一方面涉及一种用于处理衬底的方法，所述方法包括：提供其上沉积有电介质材料的衬底；在无等离子体环境中于电介质材料上沉积保护层；以及在沉积保护层之后，将衬底暴露于第一等离子体，以沉积第一硅氮化物，同时将保护层的至少一部分转化成第二硅氮化物。
2、在多种实施方案中，通过将衬底的表面上的沉积前体热分解来沉积保护层。
3、在多种实施方案中，保护层通过以下方式沉积：将衬底暴露于沉积前体；并将衬底加热至足以使沉积前体分解至衬底的表面上的温度。
4、在多种实施方案中，保护...
【技术保护点】
1.一种用于处理衬底的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中通过将所述衬底的表面上的沉积前体热分解来沉积所述保护层。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述保护层通过以下方式沉积：将所述衬底暴露于沉积前体；并将所述衬底加热至足以使所述沉积前体分解至所述衬底的表面上的温度。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述保护层通过以下两者的时间交替脉冲来沉积：使所述衬底暴露于沉积前体；和使所述衬底暴露于惰性气体。
5.根据权利要求1所述的方法，其中将所述衬底暴露于所述第一等离子体包括使用一种或更多含氮气体来产生所
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于处理衬底的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中通过将所述衬底的表面上的沉积前体热分解来沉积所述保护层。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述保护层通过以下方式沉积：将所述衬底暴露于沉积前体；并将所述衬底加热至足以使所述沉积前体分解至所述衬底的表面上的温度。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述保护层通过以下两者的时间交替脉冲来沉积：使所述衬底暴露于沉积前体；和使所述衬底暴露于惰性气体。
5.根据权利要求1所述的方法，其中将所述衬底暴露于所述第一等离子体包括使用一种或更多...
【专利技术属性】
技术研发人员：阿维尼什·古普塔，达斯汀·扎卡里·奥斯丁，戈皮纳特·布海马拉塞蒂，龚波，安德鲁·约翰·麦克罗，詹尼弗·利·佩特拉利亚，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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