半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

技术编号：43883273 阅读：26 留言：0更新日期：2024-12-31 19:08

本发明专利技术的半导体装置（100）具备：半导体基板（10），其具有交替地设置有晶体管部（70）和二极管部（80）的有源部（120），并设置有沿所述晶体管部和所述二极管部的延伸方向延伸的多个沟槽部（30、40）；发射电极（52），其设置于所述半导体基板的正面的上方；以及聚酰亚胺的保护膜（150），其设置于所述发射电极的上表面，所述二极管部具有寿命控制区（85），所述寿命控制区含有从所述半导体基板的正面侧照射的寿命抑制剂，所述有源部具有设置有所述保护膜的保护区（151‑1）、以及未设置所述保护膜的非保护区（152‑2），所述二极管部包含在所述非保护区中，所述保护区包含在所述晶体管部中。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。

技术介绍

1、以往，已知有如下技术：在将绝缘栅双极型晶体管（igbt）等晶体管部和二极管部形成在同一基板的半导体装置中，向半导体基板的预定深度位置照射氦离子等粒子束，设置包含寿命抑制剂的寿命控制区（例如，专利文献1）。另外，记载有在由铝薄膜构成的元件电极的表面设置有由形成为十字状图案的聚酰亚胺树脂构成的保护膜的半导体装置（例如，专利文献2）。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2017-135339号公报

5、专利文献2：日本特开2009-38140号公报

技术实现思路

1、技术问题

2、在从半导体基板的正面侧照射氦离子等轻离子的情况下，根据有无聚酰亚胺，半导体基板中的轻离子的射程并不相同。

3、技术方案

4、在本专利技术的第一方式中，提供一种半导体装置。半导体装置具备半导体基板，其具有交替地设置有晶体管部和二极管部的有源部，并设置有沿...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】