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本发明的半导体装置（100）具备：半导体基板（10），其具有交替地设置有晶体管部（70）和二极管部（80）的有源部（120），并设置有沿所述晶体管部和所述二极管部的延伸方向延伸的多个沟槽部（30、40）；发射电极（52），其设置于所述半导体...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

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