一种钼的磷酸基蚀刻液制造技术

本发明专利技术提供了一种金属钼的磷酸基蚀刻液，按质量百分数计，蚀刻液包括48%‑68%的电子级磷酸、2.0%‑5.5%的电子级硝酸、12%‑20%的电子级醋酸、0.02%‑0.07%的有机膦酸酯类添加剂、0.1%‑2.0%的钼蚀刻抑制剂和余量的去离子水。本发明专利技术所述的蚀刻液能够在钼蚀刻速率0.05 nm/min≤（ER）≤20 nm/min的前提下，对金属钼沉积层进行有效蚀刻，且蚀刻后表面无残余、粗糙度进一步降低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子化学品领域，特别涉及一种金属钼的蚀刻液。

技术介绍

1、随着集成电路中工艺特征尺寸的不断缩小，互连线路中电阻-电容(rc)延迟快速上升。在10 nm以后的技术节点中，互连层的rc延迟是芯片信号延迟的主要因素，这已成为高性能芯片的技术瓶颈。传统工艺中的金属（铜、钨）难以保持纳米级的性能，相比之下，钼（mo）具有低电阻率、高熔点、耐酸腐蚀和高抗电迁移能力等优点，可有效降低互连线宽小于10nm的rc延迟，在形成无阻挡层填充方面具备更大的潜力，是下一代金属互连材料的强有力候选者。因此，开发金属钼的纳米尺度的受控蚀刻工艺已成为实现其实际应用的关键先决条件。

2、常规的金属钼蚀刻液有过氧化氢体系、磷酸体系等，而磷酸体系稳定性更优异，同时对于各类添加剂的耐受度更高。磷酸基蚀刻液常用于薄膜场效应晶体管液晶显示器、发光二极管等面板级金属钼的蚀刻。由于金属钼本身的活泼性，现有的蚀刻液对其蚀刻速率过快，一般大于100nm/min。在现有体系下，金属钼难以在降低粗糙度的同时，进行低速率蚀刻，而蚀刻速率过快，将导致蚀刻后钼层残余过多，甚至损伤下层结构等本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种钼的磷酸基蚀刻液，其特征在于，包括磷酸、硝酸、醋酸、有机膦酸酯类添加剂和钼蚀刻抑制剂。

2.根据权利要求1所述的钼的磷酸基蚀刻液，其特征在于，按质量百分数计，包括：48%-68%的磷酸、2.0%-5.5%的硝酸、12%-20%的醋酸、0.02%-0.07%的有机膦酸酯类添加剂、0.1%-2.0%的钼蚀刻抑制剂和余量的去离子水。

3.根据权利要求1所述的钼的磷酸基蚀刻液，其特征在于，所述磷酸为电子级，原料浓度≥85%，金属离子含量≤0.02ppb；所述醋酸为电子级，原料浓度≥99.9%，金属离子含量≤0.02ppb；所述硝酸为电子级，原料浓度≥70%，金属离...

【技术特征摘要】

1.一种钼的磷酸基蚀刻液，其特征在于，包括磷酸、硝酸、醋酸、有机膦酸酯类添加剂和钼蚀刻抑制剂。

2.根据权利要求1所述的钼的磷酸基蚀刻液，其特征在于，按质量百分数计，包括：48%-68%的磷酸、2.0%-5.5%的硝酸、12%-20%的醋酸、0.02%-0.07%的有机膦酸酯类添加剂、0.1%-2.0%的钼蚀刻抑制剂和余量的去离子水。

3.根据权利要求1所述的钼的磷酸基蚀刻液，其特征在于，所述磷酸为电子级，原料浓度≥85%，金属离子含量≤0.02ppb；所述醋酸为电子级，原料浓度≥99.9%，金属离子含量≤0.02ppb；所述硝酸为电子级，原料浓度≥70%，金属离子含量≤0.02ppb。

4.根据权利要求1所述的钼的磷酸基蚀刻液，其特征在于，所述有机膦酸酯类添加剂包括2,4,6-三甲基苯甲酰基苯基膦酸乙酯、2-((6-氧化-6h-二苯并[c,e][1,2]氧膦杂己环-6-基)甲基)琥珀酸、(2-(二乙氨基)-2-氧乙基)(苯基)次膦酸乙酯、1-(乙氧基(苯基)磷酰基)丁酸乙酯、(4-氟苯基)...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏张轩，罗佳杨，贺兆波，叶瑞，姜飞，张庭，冯凯，王书萍，李素云，樊澌，班昌胜，严凡，李飞，王宏博，
申请(专利权)人：湖北兴福电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：